[发明专利]减小半导体器件栅诱导漏极泄漏的方法、MOS器件制造方法

权利要求书

1.一种减小半导体器件栅诱导漏极泄漏的方法，其特征在于包括：

栅极侧墙薄膜形成步骤，用于通过沉积在栅极侧壁上形成栅极侧墙薄膜，其中反应物等离子体的引入方向向栅极一侧倾斜，以使得所述栅极一侧的栅极侧壁上形成的栅极侧墙薄膜较厚，而栅极另一侧的侧壁上形成的栅极侧墙薄膜较薄；以及

栅极侧墙薄膜刻蚀步骤，用于对所述栅极侧墙薄膜进行刻蚀，以形成源极侧侧墙宽度减小的栅极侧壁以及漏极侧侧墙宽度增大的栅极侧壁，由此使源极侧栅极侧壁小于漏极侧栅极侧壁。

2.根据权利要求1所述的减小半导体器件栅诱导漏极泄漏的方法，其特征在于，在所述栅极侧墙薄膜形成步骤中，通过调节侧墙薄膜沉积条件，使得源极侧的栅极侧墙薄膜厚度和漏极侧的栅极侧墙薄膜厚度之和等于预定值。

3.根据权利要求2所述的减小半导体器件栅诱导漏极泄漏的方法，其特征在于，在所述栅极侧墙薄膜刻蚀步骤中，使源极侧的栅极侧墙的宽度与漏极侧的栅极侧墙的宽度之和等于预定值。

4.一种MOS器件制造方法，其特征在于包括：

栅极侧墙薄膜形成步骤，用于通过沉积在栅极侧壁上形成栅极侧墙薄膜，其中反应物等离子体的引入方向向漏极侧倾斜，以使得漏极侧的栅极侧壁上形成的栅极侧墙薄膜较厚，而源极侧的侧壁上形成的栅极侧墙薄膜较薄；

栅极侧墙薄膜刻蚀步骤，用于对所述栅极侧墙薄膜进行刻蚀，以形成源极侧侧墙宽度减小的栅极侧壁以及漏极侧侧墙宽度增大的栅极侧壁，由此使源极侧栅极侧壁小于漏极侧栅极侧壁；

源漏掺杂步骤，用于在所述栅极侧墙薄膜刻蚀步骤之后对漏极和源极执行掺杂。

5.根据权利要求4所述的MOS器件制造方法，其特征在于，在所述栅极侧墙薄膜形成步骤中，通过调节侧墙薄膜沉积条件，使得源极侧的栅极侧墙薄膜厚度和漏极侧的栅极侧墙薄膜厚度之和等于预定值。

6.根据权利要求5所述的MOS器件制造方法，其特征在于，在所述栅极侧墙薄膜刻蚀步骤中，使源极侧的栅极侧墙的宽度与漏极侧的栅极侧墙的宽度之和等于预定值。

7.根据权利要求4至6之一所述的MOS器件制造方法，其特征在于还包括退火步骤。

8.一种根据权利要求4至7之一所述的MOS器件制造方法制成的MOS器件。