[发明专利]阵列基板行驱动单元、阵列基板行驱动电路以及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及有机发光显示领域，尤其涉及一种阵列基板行驱动单元、阵列基板行驱动电路以及显示装置。

背景技术

有机发光显示二极管(OLED)作为一种由于具有高亮度，宽视角，较快的响应速度等优点，已越来越多地被应用于高性能显示中。传统的无源矩阵有机发光显示(Passive Matrix OLED)随着显示尺寸的增大，需要更短的单个像素的驱动时间，因而需要增大瞬态电流，增加功耗。同时大电流的应用会造成ITO线上压降过大，并使OLED工作电压过高，进而降低其效率。而有源矩阵有机发光显示二极管(Active Matrix OLED)通过开关管逐行扫描输入OLED电流，可以很好地解决这些问题。

阵列基板行驱动电路(Gate on Array)是将栅极开关电路集成在阵列基板上，从而实现驱动电路的高度集成，从节省材料和减少工艺步骤两方面减低成本。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种阵列基板行驱动单元、阵列基板行驱动电路以及显示装置，以减小阵列基板行驱动电路的线路布局面积。

为了达到上述目的，本发明提供了一种阵列基板行驱动单元，包括输入采样单元、输出单元、复位单元和存储电容，其中，

所述存储电容的第一端与本级栅极驱动信号输出端连接；

所述输入采样单元，与所述存储电容的第二端连接，用于在上一级阵列基板行驱动单元的栅极驱动信号的控制下对所述存储电容进行预充电并使得本级栅极驱动信号采样输入信号；

所述输出单元，与所述存储电容的第二端连接，用于在所述输入采样单元完成对所述存储电容预充电后，控制输出所述本级栅极驱动信号；

所述复位单元，用于在所述输出单元控制输出所述本级栅极驱动信号后，在下一级阵列基板行驱动单元的栅极驱动信号的控制下，对所述本级栅极驱动信号进行复位。

实施时，所述输入采样单元包括第一薄膜晶体管，所述输出单元包括第二薄膜晶体管，所述复位单元包括第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管，其中，

所述第一薄膜晶体管，栅极与上一级阵列基板行驱动单元的栅极信号输出端连接，源极与所述第二薄膜晶体管的栅极连接，漏极与驱动电源连接；

所述第二薄膜晶体管，源极与所述第四薄膜晶体管的漏极连接，漏极与第一时钟信号输入端连接；

所述第三薄膜晶体管，栅极与下一级阵列基板行驱动单元的栅极信号输出端连接，漏极与所述第一薄膜晶体管的源极连接，源极与驱动电源连接；

所述第四薄膜晶体管，栅极与第二时钟信号输入端连接，源极与所述驱动电源连接；

所述存储电容，第一端与所述第二薄膜晶体管的源极连接，第二端与所述第二薄膜晶体管的栅极连接；

所述第一薄膜晶体管的栅极为输入端，所述第三薄膜晶体管的栅极为复位端，所述第二薄膜晶体管的源极为本级栅极信号输出端。

实施时，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管和所述第四薄膜晶体管为p型薄膜晶体管。

实施时，所述第一薄膜晶体管的漏极与所述驱动电源的低电平输出端连接；

所述第三薄膜晶体管的源极与所述驱动电源的高电平输出端连接；

所述第四薄膜晶体管的源极与所述驱动电源的高电平输出端连接。

实施时，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管和所述第四薄膜晶体管为n型薄膜晶体管。

实施时，所述第一薄膜晶体管的漏极与所述驱动电源的高电平输出端连接；

所述第三薄膜晶体管的源极与所述驱动电源的低电平输出端连接；

所述第四薄膜晶体管的源极与所述驱动电源的低电平输出端连接。

本发明提供了一种阵列基板行驱动电路，包括多级上述的阵列基板行驱动单元；

除了第一级阵列基板行驱动单元外，每一级阵列基板行驱动单元的输入端均和上一级阵列基板行驱动单元的栅极信号输出端连接；

除了最后一级阵列基板行驱动单元外，每一级阵列基板行驱动单元的复位端均和下一级阵列基板行驱动单元的栅极信号输出端连接。

本发明提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板行驱动电路。

与现有技术相比，本发明所述的阵列基板行驱动单元、阵列基板行驱动电路以及显示装置，简单紧凑，减小了阵列基板行驱动电路的线路布局面积，可以实现高分辨率AMOLED显示。

附图说明

图1是本发明第一实施例所述的阵列基板行驱动单元的电路图；

图2是本发明第二实施例所述的阵列基板行驱动单元的电路图；