[发明专利]在导电层之间用于提高可靠性的通孔有效

专利信息
申请号: 201210048097.4 申请日: 2012-02-28
公开(公告)号: CN102651363B 公开(公告)日: 2017-05-03
发明(设计)人: T·S·黄;P·莎玛 申请(专利权)人: 飞思卡尔半导体公司
主分类号: H01L23/538 分类号: H01L23/538;H01L21/768
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 秦晨
地址: 美国得*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 导电 之间 用于 提高 可靠性
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,包括:

含有多个导电丝线的第一层;

含有多个导电丝线的第二层;

在所述第一层与所述第二层之间的非导电材料;

穿过所述非导电材料的第一导电通孔,用于在所述第一层上的第一丝线与所述第二层上的第一丝线的相交处连接所述第一层和第二层;以及

第二导电通孔,耦接于所述第二层上的第二丝线和与所述半导体器件的任何其它层中的丝线电隔离的导电部件之间;

其中所述第一层中的丝线之间的间距小于冗余通孔可以可靠地布置于所述第一层中两个相邻的丝线之间的情形下的间距。

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第二导电通孔是在距所述第一导电通孔预定距离之内的唯一通孔。

3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第二导电通孔在所述第一层和第二层之间。

4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中在所述第一层和第二层中的所述丝线小于所述半导体器件中用于传导电源和地信号的丝线。

5.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第一层中的所述丝线垂直于所述第二层中的所述丝线。

6.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述导电部件为至少2倍间距长。

7.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第二导电通孔是在所述第一层和第二层之间距所述第一导电通孔预定距离之内的唯一通孔。

8.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述导电部件与所述第二层上的丝线一样宽。

9.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第一导电通孔和所述第二导电通孔彼此电隔离。

10.一种制造半导体器件的方法,包括:

形成含有多个导电丝线的第一层;

在所述第一层上形成非导电材料;

在所述非导电材料上形成第二层,所述第二层含有多个导电丝线;

形成穿过所述非导电材料的第一导电通孔,所述第一导电通孔在所述第一层上的第一丝线与所述第二层上的第一丝线的相交处连接所述第一层和第二层;以及

形成第二导电通孔,所述第二导电通孔耦接于所述第二层上的第二丝线和与所述半导体器件的任何其它层中的丝线电隔离的导电部件之间;

其中所述第一层中的丝线之间的间距小于冗余通孔可以可靠地布置于所述第一层中两个相邻的丝线之间的情形下的间距。

11.根据权利要求10所述的方法,其中所述第二导电通孔是悬挂通孔并且是在所述第一导电通孔的指定区域之内的唯一通孔。

12.根据权利要求10所述的方法,其中在所述第一层中的所述丝线小于在所述半导体器件中用于传导电源和地信号的丝线。

13.根据权利要求10所述的方法,其中所述第一和第二导电通孔的通孔焊垫为至少2倍间距长。

14.根据权利要求11所述的方法,其中所述悬挂通孔与所述第一导电通孔隔离。

15.根据权利要求11所述的方法,其中所述悬挂通孔给所述半导体器件增添结构稳定性。

16.根据权利要求11所述的方法,其中包含所述悬挂通孔以实现预定的通孔密度。

17.一种半导体器件,包括:

含有多个信号丝线的第一导电层;

在所述第一导电层的顶部上的电介质层;

在隔离通孔附近于所述电介质层之上或之内的导电焊垫,其中所述隔离通孔耦接于所述第一导电层中的第一丝线与第二导电层中的第一丝线之间;以及

在所述第二导电层中的第二丝线与所述导电焊垫之间的悬挂通孔,其中所述导电焊垫与所述器件中的除所述悬挂通孔外的元件分隔开;

其中所述第一导电层中的丝线之间的间距小于冗余通孔可以可靠地布置于所述第一导电层中两个相邻的丝线之间的情形下的间距。

18.根据权利要求17所述的半导体器件,其中所述悬挂通孔是在所述第一和第二导电层之间距所述隔离通孔预定距离之内的唯一通孔。

19.根据权利要求17所述的半导体器件,还包括:

多个导电焊垫和所述悬挂通孔以实现所述第一和第二导电层之间的指定的通孔密度。

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