[发明专利]形成封装堆叠结构的工艺

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，更具体地，本发明涉及一种形成封装堆叠结构的工艺。

背景技术

制造现代电路通常包括多个步骤。首先在半导体晶圆上制造集成电路，该半导体晶圆包括多个完全一样的半导体芯片，每个均包括集成电路。然后，将半导体芯片从晶圆上切割下来并且进行封装。该封装工艺具有两个主要目的：保护易损的半导体芯片以及将内部的集成电路与外部的引脚相连接。

由于需要更多的功能，使用了将两个或多个封装件接合在一起来增强封装件集成性能的封装堆叠件(PoP)技术。由于集成度较高，部件之间的缩短的连接路径改善了所得到的PoP封装件的电性能。通过使用PoP技术，封装件设计变得更为灵活和简单。同时缩短了上市时间。

发明内容

为了解决现有技术中所存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种器件，包括：层间电介质；第一器件管芯，位于所述层间电介质下方；管芯接合膜，位于所述层间电介质下方并且位于所述第一器件管芯上方，其中，所述管芯接合膜与所述第一器件管芯相接合；多个第一再分布线，包括与所述管芯接合膜齐平的第一部分；多个第一Z互连件，与所述第一器件管芯和所述多个第一再分布线电连接；以及第一含聚合物材料，位于所述层间电介质下方，其中，所述第一器件管芯、所述管芯接合膜、和所述多个第一Z互连件设置在所述第一含聚合物材料中。

在该器件中，所述管芯接合膜的顶面与所述层间电介质的底面相接触。

在该器件中，所述多个第一再分布线还包括：延伸到所述层间电介质中的第二部分，其中，所述多个第一再分布线的顶面和所述层间电介质的顶面形成了平坦面。

在该器件中，还包括：多个第二再分布线，与所述多个第一Z互连件电连接，其中，所述多个第一再分布线和所述多个第二再分布线位于所述多个第一Z互连件的相对侧上；附加管芯接合膜，包括与所述多个第二再分布线的底面相接合的顶面；第二器件管芯，位于所述附加管芯接合膜下方，并且与所述附加管芯接合膜相接合；多个第二Z互连件，与所述第二器件管芯和所述多个第二再分布线电连接；以及第二含聚合物材料，位于所述多个第二再分布线下方，其中，所述第二器件管芯、所述附加管芯接合膜、和所述多个第二Z互连件设置在所述第二含聚合物材料中。

在该器件中，所述多个第一再分布线还包括：延伸到所述层间电介质中的第二部分，其中，所述管芯接合膜的顶面与所述多个第一再分布线的所述第二部分的底面相接触。

在该器件中，还包括：第二器件管芯，位于所述层间电介质上方；电连接件，将所述第二器件管芯与所述多个第一再分布线的所述第二部分相接合；以及第三器件管芯，其中，所述第二器件管芯和所述第三器件管芯位于所述第一含聚合物材料的相对侧上。

在该器件中，所述第一含聚合物材料选自基本上由感光材料和模塑料所构成的组。

在该器件中，所述层间电介质包括感光材料。

根据本发明的另一方面，提供了一种器件，包括：层间电介质；第一器件管芯，位于所述层间电介质下方；第一管芯接合膜，将所述第一器件管芯与所述层间电介质相接合，其中，所述第一管芯接合膜的顶面与所述层间电介质的底面相接触；多个第一再分布线，包括与所述管芯接合膜齐平的第一部分以及位于所述层间电介质中的第二部分；多个第一Z互连件，位于所述多个第一再分布线下方，并且与所述第一器件管芯和所述多个第一再分布线电连接；第一含聚合物材料，位于所述层间电介质下方，其中，所述第一器件管芯、所述第一管芯接合膜、和所述多个第一Z互连件设置在所述第一含聚合物材料中；以及多个第二再分布线，位于所述多个第一Z互连件下方，其中，所述多个第一再分布线和所述多个第二再分布线位于所述多个第一Z互连件的相对侧上，并且通过所述多个第一Z互连件电连接。

在该器件中，还包括：电连接件，位于所述多个第二再分布线下方，并且与所述多个第二再分布线电连接。

在该器件中，所述第一含聚合物材料与所述层间电介质以及所述多个第一再分布线的所述第一部分和所述第二部分相接触。

在该器件中，所述多个第一再分布线的所述第二部分的顶面与所述层间电介质的顶面齐平。

在该器件中，还包括：第二器件管芯，位于所述多个第二再分布线下方；第二管芯接合膜，将所述第二器件管芯与所述多个第二再分布线相接合；多个第二Z互连件，与所述第二器件管芯和所述多个第二再分布线电连接；以及第二含聚合物材料，其中，所述第二器件管芯、所述第二管芯接合膜、和所述多个第二Z互连件设置在所述第二含聚合物材料中。