[发明专利]非易失性存储器件、包括其的存储器系统及其操作方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器件，包括：

非易失性存储器单元阵列，包括多个字线；

电压产生器，配置为分别从外部设备接收外部电压和电源电压，以及使用电源电压产生第一高电压以及使用高于电源电压的外部电压产生第二高电压；和

字线选择电路，配置为在存储器单元阵列的编程操作期间将所述第一高电压施加到所述多个字线中所选择的字线，以及将所述第二高电压施加到所述多个字线中未选择的字线。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述电压产生器包括电荷泵，该电荷泵由所述电源电压驱动以产生所述第一高电压。

3.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述电压产生器包括分压器，该分压器接收所述外部电压并输出所述第二高电压。

4.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述第一高电压是编程电压Vpgm，所述第二高电压是通过电压Vpass。

5.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述电压产生器在第一电力模式操作以使用所述电源电压产生第一高电压以及使用所述外部电压产生第二高电压，和

其中所述电压产生器还在第二电力模式操作，其中所述第一高电压和所述第二高电压两者都从所述电源电压产生。

6.如权利要求5所述的非易失性存储器件，还包括控制逻辑，其选择所述第一电力模式或所述第二电力模式。

7.如权利要求6所述的非易失性存储器件，其中所述控制逻辑根据接收的电力控制信息选择所述第一电力模式或第二电力模式。

8.如权利要求7所述的非易失性存储器件，还包括模式设定寄存器，用于存储接收的电力控制信息。

9.如权利要求6所述的非易失性存储器件，还包括检测外部电压的外部电力检测电路，其中当所述外部电力检测电路检测到所述外部电压时，所述控制逻辑选择所述第一电力模式，并且当所述外部电力检测电路未检测到所述外部电压时，所述控制逻辑选择所述第二电力模式。

10.如权利要求5所述的非易失性存储器件，其中所述第一高电压是编程电压Vpgm，所述第二高电压是通过电压Vpass。

11.如权利要求10所述的非易失性存储器件，其中所述电压产生器包括：

第一高电压产生器，其产生编程电压Vpgm；和

第二高电压产生器，其产生通过电压Vpass。

12.如权利要求11所述的非易失性存储器件，其中所述第一高电压产生器包括第一电荷泵电路，该第一电荷泵电路由电源电压驱动以输出编程电压Vpgm，并且其中所述第二高电压产生器包括：

分压器，其输出所述通过电压Vpass；

开关电路，其在第一电力模式被使能，以将所述外部电源电压供应到所述分压器的输入；和

第二电荷泵电路，具有连接到所述分压器的输入的输出，其中所述第二电荷泵在第二电力模式中被使能并且由内部电源电压驱动。

13.如权利要求11所述的非易失性存储器件，其中所述第一高电压产生器包括第一电荷泵电路，该第一电荷泵电路由内部电源电压驱动以输出编程电压Vpgm，并且所述第二高电压产生器包括：

分压器，其接收所述外部电源电压并输出外部通过电压；

第二电荷泵电路，其由所述内部电源电压驱动并输出内部通过电压；和

开关电路，其在第一电力模式输出所述外部通过电压作为通过电压Vpass，并且其在第二电力模式输出所述内部通过电压作为通过电压Vpass。

14.如权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括低电压产生器，其产生低于所述第一高电压和第二高电压的低电压。

15.如权利要求14所述的非易失性存储器件，其中所述存储器单元阵列包括第一存储器块和第二存储器块，并且其中所述字线选择电路包括：

电压选择开关，其根据行地址信号的第一部分选择性地将所述第一高电压、所述第二高电压和所述低电压传递到多个信号线；和

块解码器，其根据所述行地址信号的第二部分将所述信号线的电压传递到所述第一存储器块和第二存储器块的字线。