[发明专利]一种氧化硅栅极补偿隔离区刻蚀的方法

权利要求书

1.一种氧化硅栅极补偿隔离区刻蚀的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1：在一具有多晶栅的硅衬底上沉积氧化硅层；

步骤S2：采用等离子体干法刻蚀方法进行氧化硅层的主刻蚀工艺；

步骤S3：化学清洗步骤S2产生的聚合物，并采用稀氢氟酸湿法刻蚀进行过刻蚀工艺，以去除步骤S2剩余的氧化硅层，形成栅极补偿隔离区形貌。

2.根据权利要求1所述的氧化硅栅极补偿隔离区刻蚀的方法，其特征在于，所述步骤S1中的所述多晶栅的硅衬底上还沉积有栅极氧化层。

3.根据权利要求2所述的氧化硅栅极补偿隔离区刻蚀的方法，其特征在于，所述栅极氧化层覆盖所述硅衬底的上表面，所述多晶栅部分覆盖所述栅极氧化层的上表面，所述氧化硅层覆盖未被所述多晶栅覆盖的所述栅极氧化层的上表面和所述多晶栅的侧壁及其上表面。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的氧化硅栅极补偿隔离区刻蚀的方法，其特征在于，所述氧化硅层的材质为二氧化硅。

5.根据权利要求4所述的氧化硅栅极补偿隔离区刻蚀的方法，其特征在于，所述步骤S2中采用等离子干法刻蚀的混合气体为C₄F₈/O₂/Ar，压力为10-30mT，RF功率为200-700W。

6.根据权利要求5所述的氧化硅栅极补偿隔离区刻蚀的方法，其特征在于，所述步骤S2中可是时间用定时控制，刻蚀部分氧化硅层，形成氧化硅残留层，以防止等离子体刻蚀损伤所述硅衬底。

7.根据权利要求6所述的氧化硅栅极补偿隔离区刻蚀的方法，其特征在于，所述氧化硅残留层的厚度为25-35A。

8.根据权利要求1所述的氧化硅栅极补偿隔离区刻蚀的方法，其特征在于，所述步骤S3中化学清洗为湿法清洗。

9.根据权利要求8所述的氧化硅栅极补偿隔离区刻蚀的方法，其特征在于，所述步骤S3中采用稀氢氟酸槽进行聚合物的清洗。

10.根据权利要求9所述的氧化硅栅极补偿隔离区刻蚀的方法，其特征在于，所述步骤S3中通过调整氢氟酸的浓度来控制氧化硅的刻蚀速率，以防止其对氧化硅补偿隔离区的侧壁的过刻蚀。