[发明专利]齐纳二极管的制造方法

权利要求书

1.一种齐纳二极管的制造方法，包括：

提供衬底，所述衬底包括正面以及与正面相对的背面，所述衬底的正面上形成有外延层；

刻蚀所述外延层和部分厚度的衬底形成第一深槽，所述第一深槽为环形；

在所述外延层上形成绝缘层，同时填充所述第一深槽形成第一深槽填充；

刻蚀所述外延层和部分厚度的衬底，在所述第一深槽填充包围的区域内形成至少一个第二深槽；

在所述图形化的绝缘层上形成原位掺杂多晶硅，同时填充所述第二深槽形成第二深槽填充；

对所述衬底进行退火工艺形成扩散区域，所述扩散区域和衬底构成齐纳二极管的PN结；

刻蚀所述原位掺杂多晶硅层形成图形化的多晶硅，所述图形化的多晶硅作为齐纳二极管的阴极；

在所述衬底的背面形成金属层，所述金属层作为齐纳二极管的阳极。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，刻蚀所述原位掺杂多晶硅层形成图形化的多晶硅之后，还包括：对所述衬底进行减薄。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述外延层的厚度范围为17μm～22μm。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底的电阻率范围为0.010Ω·cm～0.020Ω·cm。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在刻蚀所述外延层和部分厚度的衬底形成第一深槽之前，还包括：

在所述衬底上形成掩膜层；以及

刻蚀所述掩膜层形成图性化的掩膜层。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述掩膜层为二氧化硅。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，利用淀积的方法在所述衬底上形成掩膜层。

8.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述掩膜层的厚度范围为1.5μm～2.5um。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一深槽的深度范围为25μm～30μm，第一深槽的槽宽为1.0μm～1.4μm。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在刻蚀所述外延层和部分厚度的衬底形成第二深槽之前，还包括：刻蚀所述绝缘层形成图形化的绝缘层。

11.如权利要求1所述的方法，其征在于，所述第二深槽的深度范围为20μm～30μm，第二深槽的槽宽为1.0μm～1.4μm，相邻的第二深槽之间的间距为1.0μm～1.4μm。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火的温度范围为1100℃～1150℃，退火时间为50min～100min。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，利用化学气相淀积工艺在所述图形化的绝缘层上形成原位掺杂多晶硅。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述化学气相淀积工艺的温度范围590℃～630℃，压力范围250毫托～300毫托，反应气体为硅烷和磷烷，所述硅烷和磷烷的流量比范围为9∶1～10∶1。