[发明专利]一种在导电玻璃基板表面制备Tb掺杂BiFeO3铁电薄膜的方法

权利要求书

1.一种在导电玻璃基板表面制备Tb掺杂BiFeO₃铁电薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：将FTO导电玻璃基板表面清洗干净；

步骤2：将FTO导电玻璃基板置于紫外光照射仪中照射，使基片表面达到原子清洁度；

步骤3：将Fe(NO₃)₃·9H₂O、Bi(NO₃)₃·5H₂O和Tb(NO₃)₃·5H₂O按摩尔比1∶(1-x)∶x溶于乙二醇甲醚和冰醋酸的混合液中，搅拌均匀后得到稳定的BiFeO₃前驱体；金属离子的浓度为0.3～0.9mol/L；其中0＜x≤0.15，混合液中乙二醇甲醚和冰醋酸的体积比3∶1～2∶1；

步骤4：采用旋涂法在FTO导电玻璃基片表面旋涂BiFeO₃前驱液制备薄膜，匀胶结束后，然后预退火、退火晶化得到晶态Tb掺杂BiFeO₃铁电薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1中采用洗涤剂、丙酮、乙醇进行超声波清洗，每次超声波清洗后用蒸馏水冲洗，最后用氮气吹干。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3中所得前驱液中金属离子的浓度为0.3～0.9mol/L。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4中匀胶速度为3000～6000r/min，匀胶时间为15s。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4中预退火的温度为350℃，时间为5min；退火晶化的温度为500~600℃，时间为20～30min。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4中重复旋涂制膜、预退火、退火晶化的步骤直到得到期望厚度的Tb掺杂BiFeO₃铁电薄膜。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2中将FTO导电玻璃基板置于紫外光照射仪中照射40min，使基片表面达到原子清洁度。 

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，0.05≤x≤0.15。