[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201210045372.7 | 申请日： | 2012-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN102693964A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 藤井秀纪 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：
基板；
设置在所述基板上的下布线；
覆盖所述下布线的层间绝缘膜；
设置在所述层间绝缘薄膜上并且彼此分离的第一以及第二上布线；以及
覆盖所述第一以及第二上布线的半绝缘性的保护膜，
在所述下布线的正上方，在所述第一上布线和所述第二上布线之间的区域，不设置所述保护膜。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
在所述下布线的正上方的整个区域不设置所述保护膜。
3.一种半导体装置，其特征在于，具有：
基板；
设置在所述基板上的第一以及第二下布线；
覆盖所述第一以及第二下布线的层间绝缘膜；
设置在所述层间绝缘膜上并且彼此分离的第一以及第二上布线；
在所述第一上布线和所述第二上布线之间的区域的正下方设置在所述基板上并且将所述第一下布线和所述第二下布线连接的沟槽布线；以及
覆盖所述第一以及第二上布线的半绝缘性的保护膜。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
所述第一上布线具有从所述保护膜露出的引线键合区域，
所述沟槽布线通过所述引线键合区域之下。
5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
所述沟槽布线通过所述引线键合区域的角部之下。
6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，
所述沟槽布线相对于所述引线键合区域的所述角部倾斜地配置。
7.如权利要求3～6的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述沟槽布线网格状地进行布线。
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