[发明专利]基板清洗装置及方法、显示装置的制造装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种用清洗液清洗基板的基板清洗装置及基板清洗方法，此外还涉及一种显示装置的制造装置及显示装置的制造方法。

背景技术

基板清洗装置在液晶显示装置及半导体装置等的制造工序中，向玻璃基板及半导体晶片等基板的表面供给清洗液，对其基板表面进行清洗。在该基板清洗装置中，例如存在一边输送作为清洗对象的基板一边向该基板表面供给清洗液的基板清洗装置。

在使用清洗液的基板清洗中，例如在利用提离法进行基板清洗的情况下，进行使用臭氧水(O₃水)的有机物除去及氧化膜形成，其后，进行使用稀氢氟酸溶液(DHF溶液)的氧化膜除去(例如参照专利文献1)。由此可从基板表面上除去污染粒子。

专利文献1：日本特开2002-131777号公报

但是，在上述基板清洗中，需要有进行使用臭氧水的有机物除去及氧化膜形成的工序和进行使用稀氢氟酸溶液的氧化膜除去的工序这两个清洗工序。另外，在使用稀氢氟酸溶液除去氧化膜除去之后，存在以前被除去的污染粒子再次附着于基板表面的情况。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于，提供一种既能够减少清洗工序数，又能够防止污染粒子对基板的再次附着的基板清洗装置、基板清洗方法、显示装置的制造装置及显示装置的制造方法。

本发明实施方式的第一特征在于，基板清洗装置中，具备：输送部，输送基板；以及供给喷嘴，向被输送部输送的基板的被清洗面供给清洗液，该清洗液为，在能够除去氧化膜的液体中以溶解状态及微小气泡状态含有氧化性气体；供给喷嘴以到达被清洗面上的微小气泡一边抑制大小变化一边移动至基板的外缘的流速供给清洗液。

本发明实施方式的第二特征在于，基板清洗装置中，具备：输送部，输送基板；以及多个供给喷嘴，向被输送部输送的基板的被清洗面分别供给清洗液，该清洗液为，在能够除去氧化膜的液体中以溶解状态及微小气泡状态具有氧化性气体；多个供给喷嘴，沿基板的被清洗面排列设置于与基板的输送方向相交叉的方向上，在与基板的被清洗面平行的平面内，相对于基板的输送方向分别向相同方向倾斜，相对于基板的被清洗面分别向相同方向倾斜。

本发明实施方式的第三特征在于，在基板清洗方法中，使用基板清洗装置对基板进行清洗，该基板清洗装置具备：输送部，输送基板；以及供给喷嘴，向被输送部输送的基板的被清洗面供给清洗液，该清洗液为，在能够除去氧化膜的液体中以溶解状态及微小气泡状态含有氧化性气体；其中，通过供给喷嘴向被输送部输送的基板的被清洗面以到达被清洗面上的微小气泡一边抑制大小变化一边移动至基板的外缘的流速供给清洗液。

本发明实施方式的第四特征在于，在基板清洗方法中，使用基板清洗装置对基板进行清洗，该基板清洗装置具备：输送部，输送基板；以及多个供给喷嘴，向被输送部输送的基板的被清洗面分别供给清洗液，该清洗液为，在能够除去氧化膜的液体中以溶解状态及微小气泡状态含有氧化性气体；其中，多个供给喷嘴，沿基板的被清洗面排列设置于与基板的输送方向相交叉的方向上，在与基板的被清洗面平行的平面内，相对于基板的输送方向分别向相同方向倾斜，相对于基板的被清洗面分别向相同方向倾斜；通过多个供给喷嘴向被输送部输送的基板的被清洗面供给清洗液。

本发明实施方式的第五特征在于，在显示装置的制造装置中，具备对显示装置中使用的基板进行清洗的基板清洗装置，其中，该基板清洗装置为所述第一或者第二特征的基板清洗装置。

本发明实施方式的第六特征在于，在显示装置的制造方法中，具有对显示装置中使用的基板进行清洗的基板清洗工序，其中，在基板清洗工序中，使用所述第三或者第四特征的基板清洗方法对基板进行清洗。

根据上述第一到第六中的任一特征，能够减少清洗工序数，还能够防止污染粒子再次附着于基板。

附图说明

图1是表示本发明第一实施方式的基板清洗装置的概略构成的图。

图2是用于说明图1所示的基板清洗装置所进行的基板清洗的清洗过程的第一说明图。

图3是用于说明上述清洗过程的第二说明图。

图4是用于说明上述清洗过程的第三说明图。

图5是表示本发明第二实施方式的基板清洗装置所具备的多个供给喷嘴的俯视图。

图6是表示图5所示的供给喷嘴的侧视图。

图7是用于说明本发明第三实施方式的非晶体硅薄膜晶体管的制造工序的第一说明图。

图8是用于说明上述图7的后续的制造工序的第二说明图。