[发明专利]基板清洗装置及方法、显示装置的制造装置及其制造方法

权利要求书

1.一种基板清洗装置，其特征在于，具备：

输送部，输送基板；以及

供给喷嘴，向被所述输送部输送的所述基板的被清洗面供给清洗液，该清洗液为，在能够除去氧化膜的液体中以溶解状态及微小气泡状态含有氧化性气体；

所述供给喷嘴以到达所述被清洗面上的所述微小气泡一边抑制大小变化一边移动至所述基板的外缘的流速供给所述清洗液。

2.一种基板清洗装置，其特征在于，具备：

输送部，输送基板；以及

多个供给喷嘴，向被所述输送部输送的所述基板的被清洗面分别供给清洗液，该清洗液为，在能够除去氧化膜的液体中以溶解状态及微小气泡状态含有氧化性气体；

所述多个供给喷嘴，沿所述基板的被清洗面排列设置于与所述基板的输送方向相交叉的方向上，在与所述基板的被清洗面平行的平面内相对于所述基板的输送方向分别向相同方向倾斜，相对于所述基板的被清洗面分别向相同方向倾斜。

3.如权利要求2所述的基板清洗装置，其特征在于，

所述多个供给喷嘴以到达所述被清洗面上的所述微小气泡一边抑制大小变化一边移动至所述基板的外缘的流速分别供给所述清洗液。

4.如权利要求1、2或者3所述的基板清洗装置，其特征在于，

所述氧化性气体含有O₂及O₃中的至少一种气体。

5.如权利要求1、2或者3所述的基板清洗装置，其特征在于，

所述能够除去氧化膜的液体含有HF、NH₄F及H₂O₂中的至少一种液体。

6.如权利要求1、2或者3所述的基板清洗装置，其特征在于，

所述基板为用于形成薄膜晶体管的绝缘性基板或者单晶Si基板。

7.如权利要求6所述的基板清洗装置，其特征在于，

所述基板的至少一部分通过所述能够除去氧化膜的液体的处理而表现出疏水性。

8.如权利要求6所述的基板清洗装置，其特征在于，

所述基板的至少一部分通过所述氧化性气体的处理而表现出亲水性。

9.一种基板清洗方法，使用基板清洗装置清洗基板，该基板清洗装置具备：输送部，输送所述基板；以及供给喷嘴，向被所述输送部输送的所述基板的被清洗面供给清洗液，该清洗液为，在能够除去氧化膜的液体中以溶解状态及微小气泡状态含有氧化性气体；所述基板清洗方法的特征在于，

通过所述供给喷嘴，向被所述输送部输送的所述基板的被清洗面，以到达所述被清洗面上的所述微小气泡一边抑制大小变化一边移动至所述基板的外缘的流速供给所述清洗液。

10.一种基板清洗方法，使用基板清洗装置清洗基板，该基板清洗装置具备：输送部，输送所述基板；以及多个供给喷嘴，向被所述输送部输送的所述基板的被清洗面分别供给清洗液，该清洗液为，在能够除去氧化膜的液体中以溶解状态及微小气泡状态含有氧化性气体；所述基板清洗方法的特征在于，

所述多个供给喷嘴，沿所述基板的被清洗面排列设置于与所述基板的输送方向相交叉的方向上，在与所述基板的被清洗面平行的平面内相对于所述基板的输送方向分别向相同方向倾斜，相对于所述基板的被清洗面分别向相同方向倾斜；

通过所述多个供给喷嘴向被所述输送部输送的所述基板的被清洗面供给所述清洗液。

11.如权利要求10所述的基板清洗方法，其特征在于，

通过所述多个供给喷嘴，以到达所述被清洗面上的所述微小气泡一边抑制大小变化一边移动至所述基板的外缘的流速供给所述清洗液。

12.如权利要求9、10或者11所述的基板清洗方法，其特征在于，

所述氧化性气体含有O₂及O₃中的至少一种气体。

13.如权利要求9、10或者11所述的基板清洗方法，其特征在于，

所述能够除去氧化膜的液体含有HF、NH₄F及H₂O₂中的至少一种液体。

14.如权利要求9、10或者11所述的基板清洗方法，其特征在于，

所述基板为用于形成薄膜晶体管的绝缘性基板或者单晶Si基板。