[发明专利]半导体封装件及其制法

权利要求书

1.一种半导体封装件，其包括：

基板，其具有第一与第二电性接触垫；

焊锡材料，其形成于该第一与第二电性接触垫上，且该焊锡材料的厚度为5至40μm；以及

发光二极管芯片，其具有第一与第二电极垫，该第一与第二电极垫分别对应结合于该第一与第二电性接触垫上的焊锡材料上，使该发光二极管芯片结合于该基板上。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该基板还具有反射部与线路。

3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其特征在于，该基板包含基层、设于该基层上的绝缘层与设于该绝缘层上的金属层，且该金属层包含该反射部、线路、第一与第二电性接触垫。

4.根据权利要求2所述的半导体封装件，其特征在于，该反射部上方具有反射层。

5.根据权利要求4所述的半导体封装件，其特征在于，该反射部与反射层之间具有表面处理层。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该第一及第二电性接触垫与该焊锡材料之间具有表面处理层。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该第一与第二电性接触垫上的焊锡材料之间的距离至少为75μm。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该焊锡材料的厚度为5至20μm。

9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该第一电极垫上具有反射层。

10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该第一与第二电极垫上具有结合材以结合该焊锡材料。

11.根据权利要求10所述的半导体封装件，其特征在于，该结合材的材质为金锡、金或银。

12.一种半导体封装件的制法，其包括：

提供一具有第一与第二电性接触垫的基板；

形成焊锡材料于该第一与第二电性接触垫上；以及

将一具有第一与第二电极垫的发光二极管芯片结合于该基板上，其结合方式为将该第一与第二电极垫分别对应结合于该第一与第二电性接触垫上的焊锡材料上，且该焊锡材料的厚度为5至40μm。

13.根据权利要求12所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该基板还具有反射部与线路。

14.根据权利要求13所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该基板包含基层、设于该基层上的绝缘层与设于该绝缘层上的金属层，且该金属层包含该反射部、线路、第一与第二电性接触垫。

15.根据权利要求13所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该反射部上方具有反射层。

16.根据权利要求15所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该反射部与反射层之间具有表面处理层。

17.根据权利要求12所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该第一及第二电性接触垫与该焊锡材料之间具有表面处理层。

18.根据权利要求12所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该第一与第二电性接触垫上的焊锡材料之间的距离至少为75μm。

19.根据权利要求12所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该焊锡材料的厚度为5至20μm。

20.根据权利要求12所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该第一电极垫上具有反射层。

21.根据权利要求12所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该第一与第二电极垫上具有结合材以结合该焊锡材料。

22.根据权利要求21所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该结合材的材质为金锡、金或银。