[发明专利]背面金属工艺中断后晶片的返工方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种背面金属工艺中断后晶片的返工方法。

背景技术

在半导体器件的制作流程中，通常要在晶片背面金属化，晶片背面金属化又称背面金属工艺，其主要目的是降低接触电阻。晶片背面的金属通常采用蒸发台进行蒸发或采用溅射台进行溅射形成，在高真空工艺条件下完成晶片背面沉积Ti，Ni，Ag，Au等金属。

在晶片的背面金属工艺中，当晶片表面已发生金属沉积，背面金属工艺过程中断，此时，工艺中断后的晶片需要进行剩余金属层的补长。补长过程可分为两种：一种为工艺机台保持真空状态继续工艺，另一种为必须破真空进行设备维修再重新回到高真空状态机台继续工艺。对于第一种情况，一般不会发生金属层的剥落。对于第二种情况不做任何处理进行继续工艺时容易发生金属层剥落。

如何对所述第二种情况的背面金属工艺中断后的晶片进行返工处理，使得返工后的晶片背面金属层不发生剥落，保证晶片的良率和可靠性，是业内的一个难题。

发明内容

本发明的目的是提供一种背面金属工艺中断后晶片的返工方法，以防止因破真空而导致晶片背面金属层之间的剥落。

本发明的技术解决方案是一种背面金属工艺中断后晶片的返工方法，包括以下步骤：

当腔室故障导致当前背面金属工艺中断后，测量晶片表面当前金属层的厚度记为第一厚度，保持腔室高真空，对所述晶片进行降温；

腔室破真空，取出所述晶片；

所述晶片重返高真空腔室进行烘烤；

所述晶片继续当前金属层的背面金属工艺。

作为优选：在所述晶片继续当前金属层的背面金属工艺的步骤中，当所述晶片表面当前金属层的第一厚度小于当前金属层所需厚度时，对所述晶片表面沉积第二厚度的当前金属层，所述第二厚度为所需厚度与第一厚度的差值。

作为优选：当所述差值小于100埃时，所述第二厚度为100埃。

作为优选：在所述晶片继续当前金属层的背面金属工艺的步骤中，当所述晶片表面当前金属层的第一厚度与晶片表面当前金属层所需厚度相同时，对所述晶片表面沉积第三厚度的当前金属层，接着沉积下层金属层。

作为优选：所述第三厚度为100埃-500埃。

作为优选：所述腔室高真空的气压小于9E-7torr。

作为优选：在所述晶片重返高真空腔室进行烘烤的步骤中，所述烘烤的温度大于100℃，烘烤的时间大于3分钟。

作为优选：对所述晶片进行降温的步骤中，所述晶片降温后的温度小于60℃。

与现有技术相比，本发明在腔室故障后，采用高真空降温，降低晶片取出后的被氧化性，再返回高真空腔室进行烘烤，再进行当前金属层的沉积，有效的防止了背面金属层之间的剥落，从而提高晶片的良率和可靠性。

附图说明

图1是本发明背面金属工艺中断后晶片的返工方法的流程图。

具体实施方式

本发明下面将结合附图作进一步详述：

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。

其次，本发明利用示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是实例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。

图1示出了本发明背面金属工艺中断后晶片的返工方法的流程图，该方法主要应用于由腔室故障导致背面金属工艺中断，并需要通过破真空进行设备维修再恢复中断的背面金属工艺的情况。

请参阅图1所示，在本实施例中，

在步骤101中，当腔室故障导致当前背面金属工艺中断后，测量晶片表面当前金属层的厚度记为第一厚度，保持腔室高真空，对所述晶片进行降温，因为晶片在金属层的沉积过程中，温度较高，在背面金属工艺前进行烘烤的温度更高，所以需要对晶片进行降温，以防止晶片出腔室后在大气中由于过高温度导致自然氧化层生长过快，所述晶片降温后的温度小于60℃，以降到常温为最佳，所述腔室的气压小于9E-7torr；

在步骤102中，腔室破真空，取出所述晶片，进行设备维修，取出的所述晶片裸露在大气中，为了晶片不被氧化，所述晶片最好在1小时内重新返回到高真空腔室内，取出后的所述晶片也可以放在惰性气体中，以防止氧化；