[发明专利]背面金属工艺中断后晶片的返工方法有效
| 申请号： | 201210044578.8 | 申请日： | 2012-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN102569035A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 姜剑光;徐雷军;刘峰松;厉冰峰;陈怡骏 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 背面 金属工艺 断后 晶片 返工 方法 | ||
1.一种背面金属工艺中断后晶片的返工方法，其特征在于，包括以下步骤：
当腔室故障导致当前背面金属工艺中断后，测量晶片表面当前金属层的厚度记为第一厚度，保持腔室高真空，对所述晶片进行降温；
腔室破真空，取出所述晶片；
所述晶片重返高真空腔室进行烘烤；
所述晶片继续当前金属层的背面金属工艺。
2.根据权利要求1所述的背面金属工艺中断后晶片的返工方法，其特征在于：在所述晶片继续当前金属层的背面金属工艺的步骤中，当所述晶片表面当前金属层的第一厚度小于当前金属层所需厚度时，对晶片表面沉积第二厚度的当前金属层，所述第二厚度为所需厚度与第一厚度的差值。
3.根据权利要求2所述的背面金属工艺中断后晶片的返工方法，其特征在于：当所述差值小于100埃时，第二厚度为100埃。
4.根据权利要求1所述的背面金属工艺中断后晶片的返工方法，其特征在于：在所述晶片继续当前金属层的背面金属工艺的步骤中，当所述晶片表面当前金属层的第一厚度与晶片表面当前金属层所需厚度相同时，对晶片表面沉积第三厚度的当前金属层，接着沉积下层金属层。
5.根据权利要求4所述的背面金属工艺中断后晶片的返工方法，其特征在于：所述第三厚度为100埃-500埃。
6.根据权利要求1所述的背面金属工艺中断后晶片的返工方法，其特征在于：所述腔室高真空的气压小于9E-7torr。
7.根据权利要求1所述的背面金属工艺中断后晶片的返工方法，其特征在于：在所述晶片重返高真空腔室进行烘烤的步骤中，所述烘烤的温度大于100℃，烘烤的时间大于3分钟。
8.根据权利要求1所述的背面金属工艺中断后晶片的返工方法，其特征在于：对所述晶片进行降温的步骤中，所述晶片降温后的温度小于60℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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