[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤指一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法。

背景技术

目前，在显示器领域多采用平板显示器，绝大多数的平板显示器件都是有源矩阵液晶显示器件(Active Matrix/Organic Liquid Crystal Display，AMLCD)。现有的AMLCD器件中包含薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列基板，由于非晶硅a-Si易于实现在低温下大面积制备，并且制备技术相对成熟，因此成为目前在制作TFT阵列基板时广泛使用的材料。但是，a-Si材料的带隙只有1.7V，对可见光不透明，而且在可见光范围内具有光敏性，因此就需要增加不透明金属掩模板(黑矩阵)来阻挡光线，相应的这就增加了TFT阵列基板制作工艺的复杂性，提高了成本，降低可靠性和开口率；同时为了获得足够的亮度，就需要增加光源光强，相应的增加了功率消耗。而且其迁移率很难超过1cm²·V^-1·s^-1，因此现有的TFT阵列基板很难满足尺寸不断增大的液晶电视和更高性能的驱动电路的需求。

由于非晶硅TFT阵列基板具有上述缺陷，氧化物半导体薄膜晶体管以其诸多优势受到广泛的关注，近几年发展相对迅速。氧化物半导体的迁移率高、均一性好、透明且制作工艺简单，可以更好地满足大尺寸液晶显示器的需求；并且，制作氧化物TFT与现有的LCD生产线匹配性好，容易转型，因此氧化物TFT、备受人们的关注，已成为最近的研究热点。

但是，现有技术在制作氧化物TFT阵列基板时，至少需要4次掩膜曝光工艺，制作工艺非常复杂，并且掩模板的成本较高，相应的产品的制作成本提高，产品良率降低，设备产能降低。

发明内容

本发明实施例提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，用以解决现有技术中存在的制作薄膜晶体管阵列基板的过程中掩模曝光次数过多导致的产品成本高、良品率低和设备产能低的问题。

一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括：

在基板上制备有源层薄膜和导电层薄膜；

在所述导电层薄膜上沉积源漏极层薄膜，对所述导电层薄膜和所述源漏极层薄膜采用灰色调或半色调掩膜工艺进行处理，得到至少两条数据线、像素电极、薄膜晶体管TFT的源漏电极和沟道；所述阵列基板上一列TFT的源极与一条所述数据线连接；

沉积覆盖所述有源层薄膜、源漏电极、数据线、像素电极的绝缘层薄膜后，在所述绝缘层薄膜上制备过孔、TFT的绝缘层，并得到TFT的有源层；每条所述数据线对应的区域内的选定位置处设置有所述过孔；

在所述绝缘层上制备TFT的栅电极和与所述数据线交叉的至少两条栅极扫描线，所述阵列基板上一行TFT的栅电极与一条所述栅极扫描线连接。

一种薄膜晶体管阵列基板，包括基板、交叉排列的数据线和栅极扫描线分割出的像素单元阵列，每条所述数据线连接一列薄膜晶体管TFT的源极，每条所述数据线对应的区域内的选定位置处设置有所述过孔，每条所述栅极扫描线连接一行TFT的栅极，每个所述像素单元包括：

位于所述基板上的TFT的有源层；

位于所述TFT的有源层上方的像素电极和TFT的沟道；

位于所述像素电极上方的数据线和TFT的源漏电极；

覆盖数据线、沟道、TFT的源漏电极和有源层的TFT的绝缘层；

位于所述TFT的绝缘层上的TFT的栅电极。

本发明有益效果如下：