[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上制备有源层薄膜和导电层薄膜；

在所述导电层薄膜上沉积源漏极层薄膜，对所述导电层薄膜和所述源漏极层薄膜采用灰色调或半色调掩膜工艺进行处理，得到至少两条数据线、像素电极、薄膜晶体管TFT的源漏电极和沟道；所述阵列基板上一列TFT的源极与一条所述数据线连接；

沉积覆盖所述有源层薄膜、源漏电极、数据线、像素电极的绝缘层薄膜后，在所述绝缘层薄膜上制备过孔、TFT的绝缘层，并得到TFT的有源层；每条所述数据线对应的区域内的选定位置处设置有所述过孔；

在所述绝缘层上制备TFT的栅电极和与所述数据线交叉的至少两条栅极扫描线，所述阵列基板上一行TFT的栅电极与一条所述栅极扫描线连接。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在基板上制备有源层薄膜和导电层薄膜，具体包括：

在所述基板上沉积氧化物薄膜；

对所述氧化物薄膜进行表面处理，在所述氧化物薄膜的表面形成一层导电层薄膜；导电层薄膜下方的未经处理的该部分氧化物薄膜为有源层薄膜。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，对所述氧化物薄膜进行表面处理，具体包括：

采用离子注入法或等离子体法对所述氧化物薄膜进行表面处理。

4.如权利要求2或3所述的方法，其特征在于，沉积的所述氧化物薄膜的厚度为100-150nm；和/或处理后形成的所述导电层薄膜的厚度为50-100nm。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述导电层薄膜和所述源漏极层薄膜采用灰色调或半色调掩膜工艺进行处理，得到至少两条数据线、像素电极、TFT的源漏电极和沟道，具体包括：

在所述源漏极层薄膜上涂覆光刻胶，采用灰色调或半色调掩模板对所述光刻胶曝光、显影后，刻蚀所述导电层薄膜和所述源漏极层薄膜，得到至少两条所述数据线、像素电极、TFT的源电极和沟道；

对曝光显影后的光刻胶进行灰化处理；

刻蚀掉灰化处理后暴露出来的源漏极层薄膜，得到TFT的漏电极。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述绝缘层薄膜上制备过孔、TFT的绝缘层，并得到TFT的有源层，具体包括：

在沉积的所述绝缘层薄膜上涂覆光刻胶，对所述光刻胶曝光、显影后，刻蚀所述绝缘层薄膜和所述有源层薄膜，得到过孔、TFT的绝缘层和有源层；其中，所述TFT的有源层位于所述栅极扫描线与所述数据线分割的区域内并且遍布整个所述区域。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，沉积的所述绝缘层薄膜的厚度为300-500nm。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述绝缘层上制备TFT的栅电极和与所述数据线交叉的至少两条栅极扫描线，具体包括：

在所述绝缘层上沉积栅极层薄膜；

在所述栅极层薄膜上涂覆光刻胶，对所述光刻胶曝光、显影后，刻蚀所述栅极层薄膜，得到TFT的栅电极和与所述数据线交叉的至少两条栅极扫描线。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，沉积的所述源漏极层薄膜和/或所述栅极层薄膜的厚度为200-300nm。

10.一种薄膜晶体管阵列基板，包括基板、交叉排列的数据线和栅极扫描线分割出的像素单元阵列，每条所述数据线连接一列薄膜晶体管TFT的源极，每条所述数据线对应的区域内的选定位置处设置有所述过孔，每条所述栅极扫描线连接一行TFT的栅极，其特征在于，每个所述像素单元包括：

位于所述基板上的TFT的有源层；

位于所述TFT的有源层上方的像素电极和TFT的沟道；

位于所述像素电极上方的数据线和TFT的源漏电极；

覆盖数据线、沟道、TFT的源漏电极和有源层的TFT的绝缘层；

位于所述TFT的绝缘层上的TFT的栅电极。

11.如权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述TFT的有源层位于所述栅极扫描线与所述数据线分割的像素单元的区域内并且遍布整个所述区域。