[发明专利]具有稳压电路的半导体集成电路

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2011年8月18日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2011-0082318的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路，更具体地，涉及一种具有需要更小的电路面积并将静电放电的稳压电路的半导体集成电路。

背景技术

被设计用于低于5V的电源的半导体集成电路可能因为静电的引入和产生而被损坏或破坏。

为了防止静电引入半导体集成电路，半导体集成电路可以具有静电保护电路。

例如，静电保护电路可以在焊盘与电源端子之间放置反向二极管以将静电放电。这种反向二极管是通过实施MOS晶体管结构而形成的。

然而，为了防止受到静电损坏，MOS晶体管型的反向二极管在尺寸上要大。大的反向二极管尺寸阻碍了半导体集成度的增加。

发明内容

在以下的公开中说明一种能够减少电路面积并对静电放电的半导体集成电路。

在本发明的一个示例性实施例中，一种半导体集成电路包括；第一电压供应单元；第二电压供应单元，所述第二电压供应单元被配置为供应具有与所述第一电压供应单元不同电平的电压；以及稳压单元，所述稳压单元连接在所述第一电压供应单元与所述第二电压供应单元之间，包括至少一个放电通道，所述至少一个放电通道包括：钳位部，所述钳位部被配置为暂时降低从所述第一电压供应单元或所述第二电压供应单元引入的电压的电平；以及放电部，所述放电部被配置为将经过所述钳位部的电压放电至所述第二电压供应单元或所述第一电压供应单元。

在本发明的另一个示例性实施例中，一种半导体集成电路包括：第一放电通道，所述第一放电通道连接在电源电压供应单元与焊盘之间，且所述第一放电通道包括与所述焊盘连接的第一钳位部以及连接在所述第一钳位部与所述电源电压供应单元之间的第一放电部；以及第二放电通道，所述第二放电通道连接在所述焊盘与接地电压供应单元之间，且所述第二放电通道包括与所述焊盘连接的第二钳位部以及连接在所述第二钳位部与所述接地电压供应单元之间的第二放电部。

附图说明

结合附图描述本发明的特征、方面和实施例，在附图中：

图1是说明本发明的一个方面的框图；

图2A是说明根据本发明的一个实施例的具有稳压电路的半导体集成电路的电路图；

图2B是图2A的等效电路图；

图2C是说明图2B的结电容器的半导体集成电路的局部截面图；

图3A是根据本发明的另一个实施例的具有稳压电路的半导体集成电路的电路图；

图3B是图3A的等效电路图；

图3C和图3D是说明包括图3A所示的钳位部的MOS晶体管的平面图；

图4A是根据本发明的另一个实施例的具有稳压电路的半导体集成电路的电路图；

图4B是说明包括图4A所示的钳位部的MOS晶体管的平面图；

图5是根据本发明的另一个实施例的具有稳压电路的半导体集成电路的电路图；

图6A是根据本发明的另一个实施例的具有稳压电路的半导体集成电路的电路图；

图6B是图6A的等效电路图；

图7A是说明根据本发明的另一个实施例的具有稳压电路的半导体集成电路的电路图；

图7B是图7A的等效电路图；

图8A是说明根据本发明的另一个实施例的具有稳压电路的半导体集成电路的电路图；以及

图8B是图8A的等效电路图。

具体实施方式

以下将结合附图通过示例性实施例来说明根据本发明的具有稳压电路的半导体集成电路。

参见图1，半导体集成电路100包括第一电压供应单元120、第二电压供应单元150和稳压单元200。

第一电压供应单元120和第二电压供应单元150可以供应不同的电压电平。例如，第一电压供应单元120和第二电压供应单元150可以作为诸如电源电压供应单元VDD、接地电压供应单元VSS、以及焊盘来工作，所述焊盘是被提供有外部信号的端子。选择第一电压供应单元120和第二电压供应单元150来执行不同的功能。

稳压单元200连接在第一电压供应单元120与第二电压供应单元150之间。稳压单元200可以包括钳位部250a和放电部250b。

钳位部250a和放电部250b在稳压单元200中的相对位置可以根据第一电压供应单元120和第二电压供应单元150的电压电平而定。