[发明专利]铜酞菁齐聚物/聚合物高介电常数复合薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种铜酞菁齐聚物/聚合物高介电常数复合薄膜的制备方法，其特征在于：先将铜酞菁齐聚物化学接枝到聚合物上，然后利用溶液浇铸法制备铜酞菁齐聚物/聚合物复合薄膜，该薄膜介电常数在室温下100Hz时为400以上，介电损耗低于0.24。

2.根据权利要求1所述的铜酞菁齐聚物/聚合物高介电常数复合薄膜的制备方法，其特征在于所述的聚合物为带有PVDF基团的聚合物、聚氨酯、环氧树脂、丙烯酸树脂弹性体或聚对氯甲基苯乙烯之任一种。

3.根据权利要求1所述的铜酞菁齐聚物/聚合物高介电常数复合薄膜的制备方法，其特征在于所述带有PVDF基团的聚合物为聚偏氟乙烯、偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物以及偏氟乙烯-三氟乙烯-氯氟乙烯三聚物之任一种。

4.根据权利要求1所述的铜酞菁齐聚物/聚合物高介电常数复合薄膜的制备方法，其特征在于铜酞菁齐聚物化学接枝到聚合物上是将铜酞菁齐聚物和聚合物溶于DMF中，抽真空，通氮气保护，加热，反应得到化学接枝到聚合物铜酞菁齐聚物。

5.根据权利要求1或4所述的铜酞菁齐聚物/聚合物高介电常数复合薄膜的制备方法，其特征在于铜酞菁齐聚物化学接枝到聚合物上的方法是将0.1～0.5g铜酞菁齐聚物和0.2～3g聚合物溶于DMF中，抽真空，通氮气保护，50～100℃油浴加热，反应5～20h得到化学接枝到聚合物铜酞菁齐聚物。

6.根据权利要求4所述的铜酞菁齐聚物/聚合物高介电常数复合薄膜的制备方法，其特征在于PVDF基聚合物需要在接枝前增加活性苄氯基团。

7.根据权利要求6所述的铜酞菁齐聚物/聚合物高介电常数复合薄膜的制备方法，其特征在于增加活性苄基基团的过程是将PVDF基聚合物溶于N-甲基-2-吡咯烷酮中，在10～50℃经臭氧化处理使其分子链带上过氧基团，后在氮气保护下，于50～100℃油浴中与对氯甲基苯乙烯反应3～8个小时。

8.根据权利要求6所述的铜酞菁齐聚物/聚合物高介电常数复合薄膜的制备方法，其特征在于接枝过程是：PVDF基聚合物的接枝过程是将增加活性苄基基团的PVDF基聚合物溶于N，N-二甲基甲酰胺中，加入三乙胺，通氮气，在50～100℃油浴中，与铜酞菁齐聚物反应15～20个小时。

9.根据权利要求4所述的铜酞菁齐聚物/聚合物高介电常数复合薄膜的制备方法，其特征在于铜酞菁齐聚物与环氧树脂、丙烯酸树脂弹性体、聚氨酯三种聚合物的接枝方法是将0.1～0.5g铜酞菁齐聚物和1～3g聚合物都溶于DMF中，抽真空，通氮气保护，在50～100℃油浴中，反应5～10个小时分别得到EP-g-CuPc、AE-g-CuPc、PU-g-CuPc；与聚对氯甲基苯乙烯的接枝过程反应条件与三种聚合物相同，但原料比例为0.1～0.5g铜酞菁齐聚物和0.2～1g聚对氯甲基苯乙烯，且需要添加反应产物盐酸的碱性中和剂。

10.根据权利要求1所述的铜酞菁齐聚物/聚合物高介电常数复合薄膜的制备方法，其特征在于所述的溶液浇铸法是将聚合物基体与铜酞菁齐聚物的接枝复合物置于有机溶剂中通过机械搅拌或球磨或超声分散使其完全溶解，然后将溶液滴加于干净的载玻片上，使之成薄膜粘附在载玻片上，将载玻片水平放置在烘箱中加热、干燥、热处理，得到改性铜酞菁齐聚物/聚合物复合薄膜。