[发明专利]配线部件及其制造方法有效
申请号: | 201210041081.0 | 申请日: | 2007-10-10 |
公开(公告)号: | CN102612256A | 公开(公告)日: | 2012-07-25 |
发明(设计)人: | 川口利行;田原和时;佐贺努;根岸满明 | 申请(专利权)人: | 信越聚合物株式会社 |
主分类号: | H05K1/02 | 分类号: | H05K1/02;H05K3/00 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 部件 及其 制造 方法 | ||
本申请是申请日为2007年10月10日、申请号为200780037604.1、发明名称为“配线部件及其制造方法”的专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种用于构成印刷线路基板的配线部件及其制造方法。
背景技术
近年来,随着无所不在的社会(ubiquitous society)的到来,在信息处理设备、通信设备等中,尤其是个人计算机、便携式电话机、游戏设备等中,微处理装置(MPU)的高速化、多功能化、复合化及存储器等的记录装置的高速化日益推进。
但是,从这些设备放射出的噪声或传导设备内的导体的噪声带来的自身或其他电子设备、部件的错误运转及对人体的影响已成为问题。作为噪声,存在安装有MPU和电子部件等的印刷线路板内的导体的阻抗的不匹配引起的噪声、导体间的串音引起的噪声、以及由MPU等的半导体元件的同步开关所引起的电源层和接地层之间的层间共振所感应的噪声等。
作为抑制了这些噪声的印刷线路基板,已知有下述印刷线路基板。
(1)在由铜箔构成的电源层及接地层的两面上,形成了由比铜箔电阻率大的金属构成的金属膜的印刷线路基板(专利文献1)。
(2)在由铜箔构成的电源层及接地层的两面上,形成了含有导电性物质的、具有与印刷线路基板面垂直方向的各向异性导电性的膜的印刷线路基板(专利文献2)。
(3)是具有电源层和接地层的平行平板构造的印刷线路基板,并且是电源层或接地层将电阻性导体膜和电子部件电流供给图案进行了一体化的印刷线路基板,也是电阻性导体膜的厚度小于等于电子部件电流供给图案的1/10的印刷线路基板(专利文献3)。
在(1)的印刷线路基板中,能够使铜箔表面流动的高频涡电流衰减,即使半导体元件发生同步开关,也能够使电源电位等稳定化,能够抑制不必要的噪声放射。另外,为了用与表皮的深度相同程度的数μm的金属膜将流动于导体表面(表皮)的高频电流(表皮电流)衰减,虽然取决于作为对象的高频率电流的频率,但是需要具有相当高的电阻率的材料。而且,不能得到这样的材料,在(1)的印刷线路基板中,就得不到充分的噪声抑制效果。
在(2)的印刷线路基板中,也同样能够使高频涡电流衰减。但是,形成各向异性导电性的膜以具有与表皮的深度同等以上的铜箔的表面粗糙度的步骤是复杂的。另外,在(2)的印刷线路基板中,不能获得充分的噪声抑制效果。
在(3)的印刷线路基板中,也能够抑制电磁干扰(EMI)。但是,为了使电阻性导体膜和电子部件电流供给图案一体化,必须通过镀法将电子部件电流供给图案形成在电阻性导体膜上,所以步骤复杂,并在制造中需要时间。
日本专利文献1:特开平11-97810号公报
日本专利文献2:特开2006-66810号公报
日本专利文献3:特开2006-49496号公报
发明内容
因此,本发明的目的在于提供一种通过抑制因同步开关而引起电源层和接地层之间的共振、从而能够使电源电位稳定化、并能够抑制不必要的噪声放射的用于印刷线路基板的配线部件及能够高效率制造该配线部件的制造方法。
本发明的第一方式的配线部件的特征在于包括:铜箔;噪声抑制层,厚度是5nm至200nm,含有金属材料或导电性陶瓷;有机高分子膜,设置在所述铜箔和所述噪声抑制层之间;以及绝缘性粘合剂层,设置在所述铜箔和所述有机高分子膜之间。
在第一方式的配线部件中,优选所述有机高分子膜的厚度和所述绝缘性粘合剂层的厚度的合计是3μm至30μm。
本发明的第二方式的配线部件的特征在于包括:铜箔;有机高分子膜;噪声抑制层,厚度是5nm至200nm,含有金属材料或导电性陶瓷,设置在所述铜箔和所述有机高分子膜之间;以及绝缘性粘合剂层,设置在所述铜箔和所述噪声抑制层之间。
在第二方式的配线部件中,优选所述绝缘性粘合剂层的厚度是1μm至25μm。
优选所述噪声抑制层具有被局部除去的图案。
优选所述有机高分子膜的厚度是1μm至20μm。
本发明的配线部件的制造方法是所述第一方式的配线部件的制造方法,其特征在于包括下述(a)步骤、(b)步骤及(c)步骤,
(a)在有机高分子膜上物理地蒸镀金属材料或导电性陶瓷,形成噪声抑制层。
(b)用绝缘性粘合剂使铜箔和有机高分子膜粘合。
(c)除去噪声抑制层的一部分。
优选所述步骤以(a)步骤、(b)步骤及(c)步骤的顺序进行。
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