[发明专利]配线部件及其制造方法

权利要求书

1.一种配线部件，包括：

铜箔；

有机高分子膜；

噪声抑制层，设置在所述铜箔和所述有机高分子膜之间，含有金属材料或导电性陶瓷，厚度是5nm至200nm；以及

绝缘性粘合剂层，设置在所述铜箔和所述噪声抑制层之间。

2.根据权利要求1所述的配线部件，其中，

所述绝缘性粘合剂层的厚度是1μm至25μm。

3.根据权利要求1所述的配线部件，其中，

所述噪声抑制层具有被局部除去的图案。

4.根据权利要求1所述的配线部件，其中，

所述有机高分子膜的厚度是1μm至20μm。

5.根据权利要求1所述的配线部件，其中，

所述铜箔的表面粗糙度Rz是0.5μm至8μm。

6.根据权利要求1所述的配线部件，其中，

所述有机高分子膜的厚度和所述绝缘性粘合剂层的厚度的合计是3μm至30μm。

7.根据权利要求1所述的配线部件，其中，

所述噪声抑制层的表面电阻是50Ω至500Ω。

8.根据权利要求1所述的配线部件，其中，

所述铜箔是从电解铜箔和轧制铜箔中选择的至少一种。

9.根据权利要求1所述的配线部件，其中，

所述有机高分子膜是从聚酰亚胺膜、聚酰胺酰亚胺膜、聚醚砜膜、聚苯砜膜、聚对苯二甲酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚对苯二甲酰对苯二胺膜中选择的至少一种。

10.根据权利要求1所述的配线部件，其中，

所述金属材料是从镍、镍铬合金、铁铬合金、钨、铬、钽中选择的至少一种。

11.根据权利要求1所述的配线部件，其中，

所述导电性陶瓷是从氮化镍、氮化钛、氮化钽、氮化铬、碳化钛、碳化硅、碳化铬、碳化钒、碳化锆、碳化钼、碳化钨、硼化铬、硼化钼、硅化铬、硅化锆中选择的至少一种。

12.根据权利要求1所述的配线部件，其中，

所述绝缘性粘合剂层由从聚酰亚胺树脂、环氧树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂、聚四氟乙烯、聚苯醚中选择的至少一种绝缘性粘合剂形成。

13.一种权利要求1至12中任一项所述的配线部件的制造方法，

所述配线部件的制造方法包括下述(a)步骤、(c)步骤及(b’)步骤，并按照(a)步骤、(c)步骤及(b’)步骤的顺序进行所述配线部件的制造，

(a)在有机高分子膜上物理地蒸镀金属材料或导电性陶瓷，形成噪声抑制层；

(c)除去噪声抑制层的一部分；以及

(b’)用绝缘性粘合剂使铜箔和噪声抑制层粘合。