[发明专利]用于晶片薄化的载具及其制法

说明书

技术领域

本发明涉及一种载具及其制法，尤其指一种用于晶片薄化的载具及其制法。

背景技术

随着电子产业的蓬勃发展，现今电子产品也逐渐朝向更薄、更短、与更小的方向前进，这使得半导体晶片必须被薄化成较薄的厚度；另外，在当前最热门的3D-IC领域的产品中，晶片的薄化及薄化后的再加工也已成为必要的标准工艺。

然而，当半导体晶片的厚度薄到一定程度时(例如厚度在100微米(μm)以下)，将会面临到许多工艺上的困难，举例来说，会有晶片弯曲或翘曲、晶片夹持不易、晶片无法被机台判读、及晶片容易破碎等问题产生。

为了解决上述这些问题，3M与杜邦公司发展了一套晶片承载系统(wafer support system)，其借由全平面载具并搭配激光分离技术，以先将晶片粘着至载具上，接着进行晶片研磨与其它工艺，最后以激光将该晶片与载具分离。但是，此种系统的机台设备及材料较为昂贵，且残胶的清除也需再添加其它设备，而不利于产品成本的降低。

另外，Brewer Science与TOK公司也分别发展出搭配热分离技术的全平面载具及搭配冲洗分离技术的具通孔的载具。然而，Brewer Science公司的热分离技术具有分离温度甚高的缺点，且残胶的清除也是需要额外的设备，又前述这两种技术同样都有机台设备及材料较为昂贵的缺点。

由上可知，现有用于晶片薄化的载具的相关设备皆是高成本的投资，且整体产能完全受限于机台，故若要扩充产能则必须扩增设备，而不利于整体成本的下降。因此，如何克服上述现有技术中的用于晶片薄化的载具于薄化过程中所需的整体费用过高的问题，实已成目前亟欲解决的课题。

发明内容

鉴于上述现有技术的用于晶片薄化的载具的相关设备的成本过高的缺失，本发明提供一种用于晶片薄化的载具，其包括：一表面上形成有图案化凹部的板体，该图案化凹部包括圆形子凹部及环绕该圆形子凹部的环形子凹部；以及充填于该图案化凹部中的嵌埋材料，其中，该嵌埋材料为疏水性材料。

本发明还提供一种用于晶片薄化的载具的制法，其包括：于板体的一表面上形成图案化凹部，该图案化凹部包括圆形子凹部及环绕该圆形子凹部的环形子凹部；以及于该圆形子凹部中充填嵌埋材料。

由上可知，本发明的用于晶片薄化的载具及其制法的整体成本较低，以适合一般大量生产的情况，且借由嵌埋材料的巧妙设置，载具与晶片的分离也较为快速，进而能减少整体工艺时间。

附图说明

图1A至图1I为本发明的用于晶片薄化的载具及其制法与应用例的剖视图，其中，图1E-2为图1E-1的另一实施例，图1E-1’与图1E-2’分别为图1E-1与图1E-2的俯视图。

主要组件符号说明

10      板体

100     图案化凹部

100a    圆形子凹部

100b    环形子凹部

100c    条形子凹部

101     表面

11      阻层

110     图案化开口区

12      嵌埋材料

13      粘着层

14，14’    晶片

15          研磨头

16          溶解液。

具体实施方式

以下借由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其它优点及功效。

须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”及“一”等的用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当也视为本发明可实施的范畴。

请参阅图1A至图1I，其为本发明的用于晶片薄化的载具及其制法与应用例的剖视图，其中，图1E-2为图1E-1的另一实施例，图1E-1’与图1E-2’分别为图1E-1与图1E-2的俯视图。