[发明专利]图像传感器的封装结构及封装方法有效
申请号: | 201210041018.7 | 申请日: | 2012-02-22 |
公开(公告)号: | CN102569324B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 王之奇;俞国庆;王琦;喻琼;王蔚 | 申请(专利权)人: | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 215026 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 封装 结构 方法 | ||
1.一种图像传感器的封装结构,其特征在于,包括:
待封装芯片,所述待封装芯片具有感光区以及位于感光区周围的第一焊垫;
位于所述待封装芯片表面的PCB板,所述PCB板具有贯穿所述PCB板的第一开口和位于所述第一开口周围的第二焊垫,所述第一开口暴露出待封装芯片的感光区,所述第二焊垫与第一焊垫相连接。
2.如权利要求1所述的图像传感器的封装结构,其特征在于,还包括,所述PCB板上与第二焊垫所在的表面相对的第二表面形成有镜头组件。
3.如权利要求2所述的图像传感器的封装结构,其特征在于,所述镜头组件包括透镜和透镜支架。
4.如权利要求3所述的图像传感器的封装结构,其特征在于,所述透镜的位置对应于PCB板的第一开口的位置。
5.如权利要求4所述的图像传感器的封装结构,其特征在于,所述透镜的尺寸大于或等于所述第一开口的尺寸。
6.如权利要求2所述的图像传感器的封装结构,其特征在于,所述PCB板和镜头组件之间具有电阻、电感、电容、集成电路块或光学组件。
7.如权利要求1所述的图像传感器的封装结构,其特征在于,所述第一开口的尺寸大于或等于所述感光区的尺寸。
8.如权利要求1所述的图像传感器的封装结构,其特征在于,所述第一焊垫与第二焊垫的位置相对应。
9.如权利要求8所述的图像传感器的封装结构,其特征在于,所述第一焊垫位于感光区的四个侧边,对应的,所述第二焊垫位于所述第一开口的四个侧边。
10.如权利要求8所述的图像传感器的封装结构,其特征在于,所述第一焊垫位于感光区的两侧,对应的,所述第二焊垫位于所述第一开口的两侧。
11.如权利要求1所述的图像传感器的封装结构,其特征在于,所述第二焊垫与第一焊垫通过第二焊垫上的焊接凸点相连接。
12.如权利要求11所述的图像传感器的封装结构,其特征在于,当所述第一焊垫的材料为Al,所述焊接凸点的材料为Au,通过超声热压方式将第一焊垫与所述焊接凸点相连接。
13.如权利要求11所述的图像传感器的封装结构,其特征在于,当所述第一焊垫的材料为Au,所述焊接凸点的材料为Sn,通过共晶键合方式将第一焊垫与所述焊接凸点相连接。
14.如权利要求1所述的图像传感器的封装结构,其特征在于,所述待封装芯片的感光区内形成有图像传感器单元。
15.如权利要求14所述的图像传感器的封装结构,其特征在于,所述图像传感器单元表面形成有微透镜。
16.一种图像传感器的封装结构的封装方法,其特征在于,包括:
提供待封装芯片和PCB板,所述待封装芯片具有感光区以及位于感光区周围的第一焊垫,所述PCB板具有贯穿所述PCB板的第一开口和位于所述第一开口周围的第二焊垫;
将所述第一焊垫和第二焊垫相对放置并进行对准,使得所述PCB板的第一开口暴露出待封装芯片的感光区;
将所述第一焊垫和第二焊垫进行焊接,从而将待封装芯片和PCB板封装在一起。
17.如权利要求16所述的图像传感器的封装方法,其特征在于,还包括,在所述PCB板上与第二焊垫所在的表面相对的第二表面形成镜头组件。
18.如权利要求17所述的图像传感器的封装方法,其特征在于,还包括,在所述PCB板和镜头组件之间的PCB板的第二表面形成电阻、电感、电容、集成电路块或光学组件。
19.如权利要求16所述的图像传感器的封装方法,其特征在于,所述第二焊垫与第一焊垫通过第二焊垫上的焊接凸点相连接,当所述第一焊垫的材料为Al,所述焊接凸点的材料为Au,通过超声热压方式将第一焊垫与所述焊接凸点相连接。
20.如权利要求16所述的图像传感器的封装方法,其特征在于,所述第二焊垫与第一焊垫通过第二焊垫上的焊接凸点相连接,当所述第一焊垫的材料为Au,所述焊接凸点的材料为Sn,通过共晶键合方式将第一焊垫与所述焊接凸点相连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的