[发明专利]等离子体处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种等离子体处理装置。

背景技术

以往，在半导体装置的制造工序中，使用一种对配置在处理腔室内的载置台上的基板(例如半导体晶圆)作用等离子体来进行各种处理、例如蚀刻、成膜的等离子体处理装置。另外，作为这样的等离子体处理装置，公知有一种电容耦合型的等离子体处理装置，其中，与用于载置基板的载置台相对地在处理腔室的顶部等配置上部电极，从而构成与作为下部电极的载置台成对的对置电极。

作为上述电容耦合型的等离子体处理装置，公知有这样的构造的等离子体处理装置：作为对上部电极和下部电极之间施加的高频电力，对作为下部电极的载置台施加频率比较高的等离子体生成用的第1高频电力和频率比第1高频电力的频率低的离子引入用的第2高频电力。

并且，也公知有以对下部电极施加高频电力、并对上部电极施加直流电压的方式构成的等离子体处理装置。另外，在这样对上部电极施加直流电压的等离子体处理装置中，作为直流电压用接地构件，公知有以包围载置台的四周的方式将导电性的环状构件、例如硅制的环状构件以该环状构件暴露于处理腔室内的方式设置(例如参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2008-251744号公报

近年来，在半导体装置的制造领域中，多层膜构造的成批蚀刻正在成为主流，因此，需要在一个处理腔室内实施多个等离子体蚀刻工序等。因此，需要能够与各个工艺条件相对应地更细致地控制等离子体。

发明内容

本发明是应对上述以往的情况而做成的，其目的在于提供一种与以往相比能够更细致地控制等离子体的等离子体处理装置。

本发明的等离子体处理装置的一个技术方案提供一种等离子体处理装置，其特征在于，该等离子体处理装置包括：处理腔室，其在内部形成处理空间；下部电极，其配置在上述处理腔室内，兼作为用于载置被处理基板的载置台；上部电极，其与上述下部电极相对地配置在上述处理腔室内；高频电源，其用于对上述下部电极施加高频电力；处理气体供给机构，其用于向上述处理空间中供给被等离子体化的处理气体；第一接地构件，其由导电性材料形成，整体形状形成为环状，以至少一部分暴露于上述处理空间的方式配置在上述处理腔室内，用于形成接地电位；第二接地构件，其与上述第一接地构件相对地设置在形成于上述处理腔室下部的排气空间内，由导电性材料形成，整体形状形成为环状，至少一部分暴露于上述排气空间，用于形成接地电位；接地棒，其在上述第一接地构件与第二接地构件之间上下运动，与上述第一接地构件及第二接地构件中的任一个接触，能够调整上述第一接地构件及第二接地构件的接地状态。

采用本发明，能够提供一种与以往相比能够更细致地控制等离子体的等离子体处理装置。

附图说明

图1是示意地表示本发明的实施方式的等离子体蚀刻装置的概略结构的图。

图2是示意地表示图1中的等离子体蚀刻装置的主要部分的结构的图。

图3是示意地表示图1中的等离子体蚀刻装置的上侧接地环及下侧接地环的结构的图。

具体实施方式

下面，参照附图说明本发明的实施方式。图1是表示作为本实施方式的等离子体处理装置的等离子体蚀刻装置10的概略结构的纵剖视图。

等离子体蚀刻装置10具有气密地构成且在内部形成处理空间P S的处理腔室11。该处理腔室11为圆筒状，由例如在表面形成有阳极氧化覆膜的铝等构成。在该处理腔室11内设有用于将作为被处理基板的半导体晶圆W支承得水平的圆柱状的载置台12。

处理腔室11的内壁侧面被侧壁构件13覆盖，处理腔室11的内壁上表面被上壁构件14覆盖。侧壁构件13和上壁构件14例如由铝构成，其面向该处理空间PS的面涂敷有氧化钇、具有规定的厚度的阳极氧化覆膜。由于处理腔室11电接地，因此，侧壁构件13和上壁构件14的电位是接地电位。

另外，载置台12具有由导电性材料、例如铝构成的导电体部15、用于覆盖该导电体部15的侧面的、由绝缘性材料构成的侧面包覆构件16、载置在侧面包覆构件16上的、由石英(Qz)构成的罩(enclosure)构件17、由绝缘性材料构成的、位于导电体部15的下部的载置台基部15a。