[发明专利]等离子体处理装置有效

专利信息
申请号: 201210039725.2 申请日: 2012-02-21
公开(公告)号: CN102683148A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: 保坂勇贵;古谷直一;大秦充敬 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 等离子体 处理 装置
【权利要求书】:

1.一种等离子体处理装置,其特征在于,

该等离子体处理装置包括:

处理腔室,其在内部形成处理空间;

下部电极,其配置在上述处理腔室内,兼作为用于载置被处理基板的载置台;

上部电极,其与上述下部电极相对地配置在上述处理腔室内;

高频电源,其用于对上述下部电极施加高频电力;

处理气体供给机构,其用于向上述处理空间中供给被等离子体化的处理气体;

第一接地构件,其由导电性材料形成,整体形状形成为环状,以至少一部分暴露于上述处理空间的方式配置在上述处理腔室内,用于形成接地电位;

第二接地构件,其与上述第一接地构件相对地设置在形成于上述处理腔室下部的排气空间内,由导电性材料形成,整体形状形成为环状,至少一部分暴露于上述排气空间,用于形成接地电位;

接地棒,其在上述第一接地构件与第二接地构件之间上下运动,与上述第一接地构件及第二接地构件中的任一个接触,能够调整上述第一接地构件及第二接地构件的接地状态。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于,

该等离子体处理装置具有用于对上述上部电极施加直流电压的直流电源,上述第一接地构件及第二接地构件对自直流电源施加的直流电压起到接地电极的作用。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其特征在于,

上述第一接地构件及第二接地构件由硅、碳化硅、纯铝材料中的任一种形成。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于,

上述第一接地构件及第二接地构件以包围上述下部电极的四周的方式配置。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于,

配置有多个上述接地棒。

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