[发明专利]太阳能电池软板模块结构及其制造方法无效
申请号: | 201210039011.1 | 申请日: | 2012-02-20 |
公开(公告)号: | CN103258886A | 公开(公告)日: | 2013-08-21 |
发明(设计)人: | 赖俊村;陈建辉;吴崑诚 | 申请(专利权)人: | 稳懋半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/18 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 模块 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池软板模块结构,其特征在于,包括:
一基板;
一第一导电层,位于所述基板上;
一太阳能电池芯片,位于所述第一导电层上,所述太阳能电池芯片的下层电极与所述第一导电层电性连接,且所述太阳能电池芯片的面积小于所述第一导电层的面积;
一第二导电层,位于所述基板上,且与所述第一导电层无电性接触;
一第一导电线,所述第一导电线一端电性连接于所述第一导电层上;以及
一第二导电线,所述第二导电线一端电性连接于所述太阳能电池芯片的上层电极,另一端则电性连接于所述第二导电层上。
2.如权利要求1所述的太阳能电池软板模块结构,其特征在于,构成所述基板的材料为软性耐热材质。
3.如权利要求1所述的太阳能电池软板模块结构,其特征在于,构成所述第一导电层、所述第二导电层、所述第一导电线及所述第二导电线的材料为具有延展性的导电性材料。
4.如权利要求3所述的太阳能电池软板模块结构,其特征在于,所述具有延展性的导电性材料为铜、金、银或锡中任一种或几种材料的合金或高分子导电材料。
5.一种太阳能电池软板模块制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
于一基板上,形成第一导电层及第二导电层;
于所述第一导电层上涂上焊接材料,再将一太阳能电池芯片加热贴合于所述第一导电层上,且该太阳能电池芯片的面积小于该第一导电层的面积;
于所述第一导电层上未被所述太阳能电池芯片覆盖处涂上焊接材料,再将第一导电线的一端焊接于所述第一导电层上;以及
分别于所述第二导电层上方及所述太阳能电池芯片上方涂上所述焊接材料,再将第二导电线的一端焊接于所述太阳能电池芯片上,另一端焊接于所述第二导电层上。
6.如权利要求5所述的太阳能电池软板模块制造方法,其特征在于,构成所述基板的材料为软性耐热材质。
7.如权利要求5所述的太阳能电池软板模块制造方法,其特征在于,构成所述第一导电层、所述第二导电层、所述第一导电线及所述第二导电线的材料为具有延展性的导电性材料。
8.如权利要求7所述的太阳能电池软板模块制造方法,其特征在于,所述具有延展性的导电性材料为铜、金、银或锡中任一种或几种材料的合金或高分子导电材料。
9.如权利要求5所述的太阳能电池软板模块制造方法,其特征在于,所述焊接材料为银胶或锡膏。
10.一种含复数个太阳能电池的软板模块制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
于一基板上,形成复数个第一导电层,其中所述复数个第一导电层之间无电性接触;
于每一第一导电层上涂上焊接材料,再于每一第一导电层上加热贴合一太阳能电池晶片,其中所述太阳能电池晶片的面积小于下方第一导电层的面积;
于每一太阳能电池晶片上与下方的第一导电层上涂上焊接材料,并以至少一导电线将任两个太阳能电池晶片相互电性连接。
11.如权利要求10所述的太阳能电池软板模块制造方法,其特征在于,构成所述基板的材料为软性耐热材质。
12.如权利要求10所述的太阳能电池软板模块制造方法,其特征在于,其中以至少一导电线将任两个太阳能电池晶片相互电性连接,指将一导电线一端焊接于一太阳能电池晶片上,而导电线另一端焊接于另一太阳能电池晶片下方的第一导电层上,形成电池串联。
13.如权利要求10所述的太阳能电池软板模块制造方法,其特征在于,其中以至少一导电线将任两个太阳能电池晶片相互电性连接,指将一导电线两端分别焊接于两个太阳能电池晶片上,并将另一导电线的两端分别焊接于两个太阳能电池晶片下方的第一导电层上,形成电池并联。
14.如权利要求10所述的太阳能电池软板模块制造方法,其特征在于,构成所述导电层及所述导电线的材料为具有延展性的导电性材料。
15.如权利要求14所述的太阳能电池软板模块制造方法,其特征在于,所述具有延展性的导电性材料为铜、金、银或锡中任一种或几种材料的合金或高分子导电材料。
16.如权利要求10所述的太阳能电池软板模块制造方法,其特征在于,所述焊接材料为银胶或锡膏。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于稳懋半导体股份有限公司,未经稳懋半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210039011.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的