[发明专利]成膜装置及成膜基板制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种成膜装置及成膜基板制造方法。

背景技术

以往，例如在真空腔室内进行基板的处理等的成膜装置通过使成膜材料通过设置在腔室内的蒸镀装置蒸镀在基板上来进行成膜。在这种成膜装置中，已知有利用在传送方向上旋转自如的传送辊直接传送基板的装置。

专利文献1：日本特开2010-147256号公报

在如上述的成膜装置中，在进行成膜之前加热基板，并在成膜后冷却基板。以往技术中，由于利用传送辊直接传送基板，因此导致在加热或冷却基板的工序中，从基板的与传送辊接触的部分向传送辊传热。由此，在基板的与传送辊接触的部分和不接触的部分产生温度差，由此有在基板上发生变形等以至应力变高而导致断裂之虞。

发明内容

本发明是为了解决上述课题而完成的，其目的在于提供一种可抑制基板内的温度差并缓和在基板上产生的应力的成膜装置及成膜基板制造方法。

基于本发明的成膜装置为一种在基板上进行成膜材料的成膜的成膜装置，其特征在于，具备：腔室，导入有基板；加热构件，在该腔室内加热基板；旋转自如的传送辊，设置在腔室内，与基板接触并传送基板；及控制构件，以正旋转与逆旋转方式切换该传送辊的旋转，使基板在基于加热构件加热时往返移动。

根据这种成膜装置，由于能够以正旋转与逆旋转方式切换与基板接触并传送基板的旋转自如的传送辊的旋转，并加热基板的同时，使基板往返移动，因此，基板与传送辊的接点不会被固定而能够改变接点的位置。即，通过挪动被加热的基板与温度低于基板的传送辊的接点，能够避免只有基板的特定部位与传送辊接触，并抑制基板内的温度差。并且，通过往返移动基板，无需扩大加热构件的设置范围就能够进行基板的加热。并且，由于旋转传送辊的同时加热基板，因此，能够降低基板与传送辊的摩擦系数，并能够容许因加热产生的基板的伸长。在传送辊静止的状态下，即使摩擦系数较高且无法容许基板的伸长时，也能够通过旋转传送辊来降低摩擦系数，使基板容易偏移。因此，当基板被加热而伸长时，由于基板偏移，因此能够缓和在基板上产生的热应力。

并且，加热构件优选具有向与基板的传送方向交叉的方向延伸并在传送方向上隔开预定的间隔配置的多个加热器。由此，能够减少加热器数量的同时，通过基板的往返移动谋求温度分布的均匀化。

并且，控制手段优选使基板往返移动相当于加热器的配置间隔的60％～100％距离的量。根据这种结构，尤其能够谋求温度分布的均匀化。

另外，基于本发明的成膜装置为一种在基板上进行成膜材料的成膜的成膜装置，其特征在于，具备：冷却构件，冷却基板；旋转自如的传送辊，与基板接触并传送基板；及控制构件，以正旋转与逆旋转方式切换传送辊的旋转，使基板在基于冷却构件冷却时往返移动。

根据这种成膜装置，由于能够以正旋转与逆旋转方式切换与基板接触并传送基板的旋转自如的传送辊的旋转，并冷却基板的同时，使基板往返移动，因此，基板与传送辊的接点不会被固定而能够改变接点的位置。即，通过挪动被冷却的基板与温度低于基板的传送辊的接点，能够避免只有基板的特定部位与传送辊接触，并抑制基板内的温度差。并且，通过往返移动基板，无需扩大冷却构件的设置范围就能够进行基板的冷却。并且，由于旋转传送辊的同时冷却基板，因此，能够降低基板与传送辊的摩擦系数，并能够容许因冷却产生的基板的收缩。在传送辊静止的状态下，即使摩擦系数较高且无法容许基板的收缩时，也能够通过旋转传送辊来降低摩擦系数，使基板容易偏移。因此，当基板被冷却而缩小时，由于基板偏移，因此能够缓和在基板上产生的拉伸应力。

并且，控制构件优选使传送辊旋转360度之后，逆向旋转360度。由此，能够使传送辊反复进行一圈正旋转与一圈逆旋转的操作的同时，使基板往返移动，并能够抑制传送辊内的温度差，还能够抑制与传送辊接触的基板内的温度差。

另外，基于本发明的成膜装置为一种在基板上进行成膜材料的成膜的成膜装置，其特征在于，具备：腔室，导入有基板；加热构件，在该腔室内加热基板；旋转自如的第1传送辊，设置在腔室内，与基板接触并传送基板；加热传送控制构件，以正旋转与逆旋转方式切换该第1传送辊的旋转，使基板在基于加热构件加热时往返移动；冷却构件，冷却基板；旋转自如的第2传送辊，与基板接触并传送基板；及冷却传送控制构件，以正旋转与逆旋转方式切换该第2传送辊的旋转，使基板在基于冷却构件冷却时往返移动。