[发明专利]曝光电子束正性抗蚀剂的方法有效
| 申请号： | 201210037319.2 | 申请日： | 2012-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN103257523A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 周华杰;徐秋霞;牛洁斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/20;G03F7/039 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 曝光 电子束 正性抗蚀剂 方法 | ||
1.一种曝光电子束正性抗蚀剂的方法，包括：
清洁衬底表面；
脱水烘培；
旋涂电子束正性抗蚀剂；
前烘工艺，消除电子束正性抗蚀剂的应力；
电子束曝光；
显影得到纳米级掩膜图形。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述脱水烘培的步骤中，烘培温度为180～800℃，时间为30～120min。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，旋涂电子束正性抗蚀剂之前不使用增粘剂处理衬底表面。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述前烘工艺的步骤进一步包括：
以第一速率从室温升温至前烘温度；
以前烘维持时间维持前烘温度，烘烤电子束正性抗蚀剂；
再以第二速率从前烘温度降温至室温。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一速率为0.1～2℃/min。
6.根据权利要求4所述的方法，其中，前烘温度为160～200℃，前烘维持时间为10～50min。
7.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第二速率为0.05～1℃/min。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述显影步骤包括采用乙酸丁脂显影30s。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中，所述衬底包括体硅、SOI、体锗、GeOI、化合物半导体。
10.一种制备纳米图形的方法，包括：
采用如权利要求1所述的方法曝光电子束正性抗蚀剂，得到纳米级掩膜图形；
曝光后烘培；
刻蚀将图形转移至衬底；
去除电子束正性抗蚀剂，得到所需纳米尺度结构。
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