[发明专利]键合焊盘上的钝化材料的图案及其制造方法有效
申请号: | 201210036308.2 | 申请日: | 2012-02-15 |
公开(公告)号: | CN102693922A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | S·苏塔雅 | 申请(专利权)人: | 马维尔国际贸易有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/488 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 酆迅;董典红 |
地址: | 巴巴多斯*** | 国省代码: | 巴巴多斯;BB |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 键合焊盘上 钝化 材料 图案 及其 制造 方法 | ||
1.一种方法,包括:
在电子组件上形成焊盘,其中所述焊盘包括导电材料;
在所述导电材料的表面上提供钝化材料;以及
从所述表面去除钝化材料以暴露所述导电材料的部分,从而形成包括所述导电材料和多个间隔物的键合焊盘。
2.根据权利要求1所述的方法,其中去除所述钝化材料以形成所述多个间隔物;并且其中所述多个间隔物包括保留在所述焊盘上的钝化材料的图案。
3.根据权利要求2所述的方法,其中所述图案包括如下中的至少一个:(i)直线;以及(ii)曲线。
4.根据权利要求3所述的方法,其中所述图案包括如下中的至少一个:(i)多个方形;以及(ii)多个圆形。
5.根据权利要求4所述的方法,其中所述图案包括如下中的一个:(i)棋盘型图案;(ii)对角线棋盘型图案;(iii)方形内的方形;以及(iv)圆形内的圆形。
6.根据权利要求1所述的方法,其中所述钝化材料包括氮化硅。
7.根据权利要求1所述的方法,其中在电子组件上形成焊盘以及在所述导电材料的表面上提供钝化材料包括:
在所述电子组件的层上提供所述焊盘;以及
在(i)所述焊盘和(ii)所述层上沉积钝化材料,以限定所述电子组件的钝化层。
8.根据权利要求1所述的方法,其中在电子组件上形成焊盘以及在所述导电材料的表面上提供钝化材料包括:
在所述电子组件的层上沉积钝化材料,以限定所述电子组件的钝化层;
去除钝化材料以露出所述层上用于创建所述焊盘的位置;
在所述位置处沉积导电材料;以及
在所述导电材料上沉积钝化材料。
9.一种电子组件,包括键合焊盘,其中所述键合焊盘包括:
导电材料;以及
由钝化材料制成的多个间隔物,
其中(i)所述导电材料和(ii)所述多个间隔物布置成使得所述键合焊盘的接触表面基本上不平滑或不平坦并且限定峰和谷。
10.根据权利要求9所述的电子组件,其中所述多个间隔物位于所述导电材料的表面上。
11.根据权利要求10所述的电子组件,其中所述多个间隔物在所述导电材料的所述表面上形成图案。
12.根据权利要求11所述的电子组件,其中所述图案包括如下中的至少一个:(i)直线;以及(ii)曲线。
13.根据权利要求12所述的电子组件,其中所述图案包括如下中的至少一个:(i)多个方形;以及(ii)多个圆形。
14.根据权利要求13所述的电子组件,其中所述图案包括如下中的一个:(i)棋盘型图案;(ii)对角线棋盘型图案;(iii)方形内的方形;以及(iv)圆形内的圆形。
15.根据权利要求9所述的电子组件,其中所述多个间隔物位于所述导电材料内。
16.根据权利要求15所述的电子组件,其中所述多个间隔物在所述导电材料内形成图案。
17.根据权利要求16所述的电子组件,其中所述图案包括如下中的至少一个:(i)直线;(ii)曲线;(iii)多个方形;以及(iv)多个圆形。
18.根据权利要求9所述的电子组件,其中所述钝化材料包括氮化硅。
19.根据权利要求18所述的电子组件,其中所述图案包括如下中的一个:(i)棋盘型图案;(ii)对角线棋盘型图案;(iii)方形内的方形;以及(iv)圆形内的圆形。
20.一种方法,包括:
在电子组件上的一个位置处提供钝化材料,其中所述钝化材料布置成使所述电子组件在所述位置处的部分暴露的图案;以及
在所述位置处的所述钝化材料上方沉积导电材料,以在所述位置处提供包括所述钝化材料的键合焊盘,其中所述键合焊盘的接触表面为基本上不平滑并限定峰和谷。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造