[发明专利]供给无噪声电压的装置及其操作方法无效
申请号: | 201210035484.4 | 申请日: | 2007-01-29 |
公开(公告)号: | CN102610262A | 公开(公告)日: | 2012-07-25 |
发明(设计)人: | 慎允宰;崔俊基 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | G11C5/14 | 分类号: | G11C5/14 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李春晖;李德山 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 供给 噪声 电压 装置 及其 操作方法 | ||
本申请是申请日为2007年1月29日、申请号为200710003212.5、发明名称为“供给无噪声电压的装置及其操作方法”的专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种电压供给装置与方法,更具体而言,涉及一种用于供给电压至半导体存储器装置的操作电路的电压供给装置和方法。
背景技术
一般而言,随着半导体存储器的高度集成,存储器电路的每个元件也变小。用于具有半导体存储器的系统中的CPU(中央处理单元)被设计成工作在高频率。因此,半导体存储器也被设计成工作在高频率。
为了设计工作在高频率的存储器,半导体存储器的电源电压需要处于低电平。然而,随着电源电压的降低,噪声会造成关键的问题。
目前,在半导体存储器装置中,使用了处于相同电平的从外部施加的多个电源电压。此外,还使用了由电源电压在芯片中所产生的多个电压并且其焊盘是分开的。
图1是示出常规的电压供给装置的电路图。
常规的电压供给装置包括:第一反向器IV1、第二反向器IV2、PMOS晶体管P1、以及NMOS晶体管N1。
第一反向器IV1接收电压供给使能信号EN_SIG,将所接收的电压供给使能信号EN_SIG反向,并输出反向的电压供给使能信号作为输出信号EN_SIGb。
第二反向器IV2将第一反向器IV1的输出信号EN_SIGb反向并输出反向的输出信号作为输出信号EN_SIG。
PMOS晶体管P1具有:栅极端子,其接收第一反向器IV1的输出信号EN_SIGb;源极端子,向其施加了电源电压VDDA或VDDB;以及漏极端子,其连接至操作电路10。
NMOS晶体管N1具有:栅极端子,其接收第二反向器IV2的输出信号EN_SIG;源极端子,向其施加了接地电压VSSA或VSSB;以及漏极端子,其连接至操作电路10。
操作电路10是一种普通的电路,其接收电源电压VDDA或VDDB或者接地电压VSSA或VSSB并输出输出信号OUTPUT_ORG。
这里,操作电路10接收第一电源电压VDDA与第一接地电压VSSA或接收第二电源电压VDDB与第二接地电压VSSB。
如图1所示,常规的电压供给装置如此地设计,使得响应启动电压供给装置的电压供给使能信号EN_SIG只供给固定的电源电压。
然而,即使当应用于存储器的各个电源具有不同的噪声量时,也没有电路可以感测施加至存储器的电压的噪声量。即,即使当在第一电源电压VDDA和第一接地电压VSSA中产生的噪声量大于在第二电源电压VDDB与第二接地电压VSSB中产生的噪声量时,仍使用第一电源电压VDDA和第一接地电压VSSA。
如上所述,由于常规的电压供给装置无法感测电源噪声,可能会有下列问题:半导体存储器会由于噪声而错误地运作,从而降低该半导体存储器的性能。
发明内容
本发明的实施例提供一种无噪声地供给电压的装置及操作方法。其感测了应用于半导体存储器装置的内部电路的电源中的噪声量并使用具有较少噪声的电源。结果,半导体存储器装置的内部电路可以稳定地工作。
根据本发明的第一实施例,电压供给装置可包括:电源噪声感测单元、电压选择单元、第一电源电压供给单元、以及第二电源电压供给单元。
电源噪声感测单元可感测来自第一与第二电源的噪声并输出电源噪声感测信号。
电压选择单元可响应电压供给使能信号与电源噪声感测信号而输出第一与第二驱动信号。
第一电源电压供给单元可响应第一与第二驱动信号而供给第一电源的电压。
第二电源电压供给单元可响应第一与第二驱动信号而供给第二电源的电压。
电压供给装置可进一步包括操作电路。
操作电路可接收第一电源或第二电源的电压、执行预定操作、以及输出输出信号。
根据本发明的第二实施例,电压供给装置可包括:电源噪声感测单元与电源电压供给单元。
电源噪声感测单元可感测第一电源与第二电源的噪声并输出电源噪声感测信号。
电源电压供给单元可响应电源噪声感测信号而选择性地供给第一电源或第二电源的电压。
根据本发明的第二实施例,电压供给装置可进一步包括操作电路。
操作电路可接收第一电源或第二电源的电压、执行预定操作、以及输出输出信号。
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