[发明专利]供给无噪声电压的装置及其操作方法无效
申请号: | 201210035484.4 | 申请日: | 2007-01-29 |
公开(公告)号: | CN102610262A | 公开(公告)日: | 2012-07-25 |
发明(设计)人: | 慎允宰;崔俊基 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | G11C5/14 | 分类号: | G11C5/14 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李春晖;李德山 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 供给 噪声 电压 装置 及其 操作方法 | ||
1.一种用于供给电压的装置,包括:
电源噪声感测单元,其配置成感测第一与第二电源的电压的噪声并输出基于所述噪声的电源噪声感测信号;
电压选择单元,其耦合至所述电源噪声感测单元,且配置成接收所述电源噪声感测信号与电压供给使能信号,并响应所述电压供给使能信号与所述电源噪声感测信号而输出第一与第二驱动信号;
第一电源电压供给单元,其耦合至所述电压选择单元,并配置成接收所述第一与第二驱动信号作为输入并响应所述第一与第二驱动信号而供给所述第一电源的电压;以及
第二电源电压供给单元,其耦合至所述电压选择单元,并配置成接收所述第一与第二驱动信号作为输入以及响应所述第一与第二驱动信号而供给所述第二电源的电压;
其中所述电源噪声感测单元包括:
第一电压分配单元,其包括第一电阻器与第二电阻器,被配置成接收第一电源电压与第二接地电压并响应所述第一电源电压与所述第二接地电压而输出第一电压分配信号;
第二电压分配单元,其包括第三电阻器与第四电阻器,被配置成接收第二电源电压与第一接地电压并响应所述第二电源电压与所述第一接地电压而输出第二电压分配信号;以及
比较单元,其包括差动放大器,被配置成接收所述第一电压分配信号与所述第二电压分配信号并通过比较所述第一电压分配信号的电平与所述第二电压分配信号的电平来输出比较信号。
2.如权利要求1的装置,
其中所述第一电源的电压包括第一电源电压与第一接地电压。
3.如权利要求2的装置,
其中所述第二电源的电压包括第二电源电压与第二接地电压。
4.如权利要求3的装置,进一步包括:
操作电路,其配置成接收所述第一电源或第二电源的电压并基于所接收的电压来执行预定操作,以产生输出信号。
5.如权利要求4的装置,
其中所述第一电源电压供给单元响应所述第一与第二驱动信号而施加所述第一电源电压与所述第一接地电压至所述操作电路。
6.如权利要求4的装置,
其中所述第二电源电压供给单元响应所述第一与第二驱动信号而施加所述第二电源电压与所述第二接地电压至所述操作电路。
7.如权利要求5的装置,
其中所述第一电源电压供给单元包括:PMOS晶体管,其具有配置成接收所述第一驱动信号的栅极端子,配置成接收所述第一电源电压的源极端子,以及耦合至所述操作电路的漏极端子;以及
NMOS晶体管,其具有配置成接收所述第二驱动信号的栅极端子,配置成接收所述第一接地电压的源极端子,以及耦合至所述操作电路的漏极端子。
8.如权利要求6的装置,
其中所述第二电源电压供给单元包括:
PMOS晶体管,其具有配置成接收所述第二驱动信号的栅极端子,配置成接收所述第二电源电压的源极端子,以及耦合至所述操作电路的漏极端子;以及
NMOS晶体管,其具有配置成接收所述第一驱动信号的栅极端子,配置成接收所述第二接地电压的源极端子,以及耦合至所述操作电路的漏极端子。
9.如权利要求1的装置,
其中所述电源噪声感测单元进一步包括输出单元,所述输出单元包括两个或更多的反向器,被配置成接收所述比较信号并输出基于所述比较信号的所述电源噪声感测信号。
10.如权利要求9的装置,
其中所述第一电压分配单元包括:
输入端子,用于所述第一电源电压与第二接地电压;
第一电阻器,其耦合在用于所述第一电源电压的所述输入端子与第一节点之间;以及
第二电阻器,其耦合在用于所述第二接地电压的所述输入端子与所述第一节点之间。
11.如权利要求10的装置,
其中所述第一电压分配单元从所述第一节点输出所述第一电压分配信号。
12.如权利要求11的装置,
其中所述第二电压分配单元包括:
输入端子,用于所述第二电源电压与所述第一接地电压;
第三电阻器,其耦合在用于所述第二电源电压的所述输入端子与第二节点之间;以及
第四电阻器,其耦合在用于所述第一接地电压的所述输入端子与所述第二节点之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司,未经海力士半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210035484.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。