[发明专利]一种多尺寸晶圆共用的晶圆载台结构

说明书

技术领域

本发明涉及半导体薄膜沉积设备，具体地说是一种多尺寸晶圆共用的晶圆载台结构。

背景技术

薄膜沉积技术的原理是将晶圆置于真空环境中，通入适量的反应气体，利用气体的物理变化和化学反应，在晶圆表面形成固态薄膜。

与晶圆载台相关的中国专利，如公开日为2010年8月25日、公开号为CN201562672U的中国专利，公开日为2003年6月25日、公开号为CN2558077Y的中国专利，公开日为1999年4月28日、公开号为CN1215226A的中国专利，公开日为2010年1月6日、公开号为CN101621020A，公开日为2009年9月16日、公开号为CN201311921Y的中国专利等，存在着以下的不足之处：均为单晶圆载台，适用于大尺寸晶圆的批量生产，但不适用于小尺寸晶圆的批量生产和科研型设备。

目前，小尺寸晶圆批量生产，采用如图1所示的晶圆载台，在晶圆载台1上加工出若干个与小尺寸晶圆匹配的放置沟槽，将小尺寸晶圆分别放在沟槽内。无论是大尺寸晶圆还是小尺寸晶圆，其晶圆载台只能承载单一尺寸的晶圆，一旦晶圆尺寸改变，晶圆载台就无法使用，适应性差，加大了成本。

发明内容

为了解决现有晶圆载台无法适应不同尺寸晶圆的问题，本发明的目的在于提供一种多尺寸晶圆共用的晶圆载台结构。该晶圆载台结构可以实现多种尺寸的晶圆共用一个晶圆载台。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：

本发明用于承载晶圆的晶圆载台上设有多个根据所承载晶圆的尺寸确定位置的挡销，两相邻晶圆之间通过所述挡销隔开、互不接触。

其中：所述挡销的轴向截面为“T”型，由直径不等的两个圆柱组成，其中直径小的圆柱插设在所述晶圆载台上，直径大的圆柱位于所述晶圆载台上表面之上，所述直径大的圆柱的底面与所述晶圆载台上表面接触，两相邻晶圆与所述直径大的圆柱的边缘相接触；所述晶圆载台上设有多个销孔，所述直径小的圆柱插入该销孔内；所述直径小的圆柱与销孔之间为间隙配合；所述直径大的圆柱的直径大于所述销孔的孔径，该直径大的圆柱的直径根据晶圆尺寸确定，保证两相邻晶圆之间互不接触；所述挡销根据不同的晶圆尺寸插入不同的销孔中；每个晶圆的周向上至少设有三个挡销。

本发明的优点与积极效果为：

1.本发明通过挡销插入不同的销孔中，改变挡销的摆放位置，能够使多种尺寸的晶圆共用一个晶圆载台，节约设备成本。

2.本发明能够使晶圆在工艺过程中保持静止，不滑动。

3.本发明能够合理放置多个晶圆，保证单批次工艺的产量。

4.本发明结构简单，安装维护方便。

附图说明

图1为现有加工小尺寸晶圆的晶圆载台结构示意图；

图2为本发明加工小尺寸晶圆的俯视图；

图3为图2的A-A剖视图；

图4为图3中I处的局部放大图；

图5为本发明加工大尺寸晶圆的俯视图；

图6为薄膜沉积设备的剖面图；

其中：1为晶圆载台，2为挡销，3为小尺寸晶圆，4为挡销，5为大尺寸晶圆，6为加热盘，7为喷淋结构，8为工艺腔室。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步详述。

本发明承载晶圆的晶圆载台上设有多个根据所承载晶圆的尺寸确定位置的挡销，两相邻晶圆之间通过所述挡销隔开、互不接触。如图2～4所示，晶圆载台1上设有多个销孔，挡销2根据小尺寸晶圆3的尺寸插入不同的销孔中；挡销2的轴向截面为“T”型，由直径不等的两个圆柱组成，其中直径小的圆柱插设在所述晶圆载台1上的销孔中，直径大的圆柱位于所述晶圆载台1的上表面之上；所述直径大的圆柱的底面与所述晶圆载台上表面接触，两相邻的小尺寸晶圆3与所述直径大的圆柱的边缘相接触。所述直径小的圆柱与销孔之间为间隙配合，即直径小的圆柱的直径略小于晶圆载台1的销孔孔径；直径大的圆柱的直径大于所述销孔的孔径，该直径大的圆柱的直径根据小尺寸晶圆3的尺寸确定，可以保证两个相邻小尺寸晶圆3互不接触即可；图2中，每个小尺寸晶圆3的周向上设置了三个挡销2(每个晶圆周向上的挡销数量可根据需要增加)，保证两相邻小尺寸晶圆3之间互不接触。使用时，根据实际小尺寸晶圆3的尺寸，将多个挡销2插入晶圆载台1的部分销孔中，以使两个相邻小尺寸晶圆3互不接触。

挡销中直径大的圆柱的直径可以根据晶圆尺寸进行改变，如图5所示，晶圆载台1上承载了大晶圆5，挡销4中直径大的圆柱的直径相应地进行了调整，以保证两上相邻大尺寸晶圆5互不接触，而用到的挡销4的数量也较承载小尺寸晶圆3时少了一些。