[发明专利]半导体封装件有效

专利信息
申请号: 201210033632.9 申请日: 2012-02-15
公开(公告)号: CN102646663A 公开(公告)日: 2012-08-22
发明(设计)人: 梁胜宅 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/48;H01L23/31
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邱军
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 封装
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种半导体封装件,尤其涉及一种能够改善堆叠封装结构中基板与上半导体芯片之间的电连接的半导体封装件。

背景技术

为了满足小型化和高容量的需要,已经开发了用于半导体器件的封装技术。一种这样的技术是堆叠封装,其能够满足小型化、高容量以及安装效率的要求。

堆叠封装的示例包括其中上半导体芯片堆叠在下半导体芯片上的COC(芯片上芯片)封装。

在COC封装中,为了将下半导体芯片与上半导体芯片电连接,形成诸如重排线的电路布线或者诸如凸块的连接构件。

在一些情况下,具有不同尺寸的多个半导体芯片堆叠在基板上并彼此电连接。例如,下半导体芯片可贴附到基板上,并且大于下半导体芯片的多个上半导体芯片可堆叠在下半导体芯片上并且与下半导体芯片电连接。然而,上半导体芯片的边缘由于悬置在较小的下半导体芯片上方而在其下方存在空间,所以上半导体芯片与基板的连接不太可能合适。

这可导致封装件的电特性和可靠性的劣化。

发明内容

本发明的实施例涉及一种半导体封装件,其能够改善堆叠封装结构中基板与上半导体芯片之间的电连接。

在本发明的一个实施例中,一种半导体封装件包括:本体,具有第一表面和背对第一表面的第二表面,并且在第一表面中形成有沟槽。第一连接部可将本体的第一表面的一部分电连接到第二表面的一部分。第二连接部可将沟槽的底部的一部分电连接到第二表面的一部分。下器件可设置在本体的沟槽中并且可具有第三连接部,该第三连接部可与第二连接部电连接。大于下器件的上器件可设置在本体和下器件上,并且可具有第四连接部,该第四连接部可与本体的第一连接部和下器件的第三连接部电连接。

本体可以是印刷电路板、半导体芯片、晶片、硅插入物(silicon interposer)、包括无源器件的插入物、包括有源器件的插入物、包括无源器件的印刷电路板以及包括有源器件的印刷电路板中的任一个。

下器件和上器件可包括半导体芯片。

半导体封装件可进一步包括:形成在第一连接部与第四连接部之间、第二连接部与第三连接部之间以及第三连接部与第四连接部之间的连接构件。

连接构件可包括焊料凸块、焊料膏、焊料球、金属凸块、金属膏、碳纳米管、ACI(各向异性导电墨水)、ACF(各向异性导电膜)以及导电膏中的任一个。

下器件的上表面可与本体的第一表面齐平。

第一连接部和第二连接部可具有不同的尺寸。

第一连接部可长于第二连接部。

第一连接部、第二连接部、第三连接部以及第四连接部可以是贯穿通路。

多个上器件可堆叠在本体和下器件中的至少一个上。

半导体封装件可进一步包括:模制构件,形成在本体上以包封下器件和上器件。

附图说明

图1是示出根据本发明的实施例的半导体封装件的剖面图。

图2是示出根据本发明的另一实施例的半导体封装件的剖面图。

具体实施方式

下面参照附图详细描述本发明的具体实施例。

应理解附图不一定是按比例绘制的,在某些情况下可能夸大了比例从而更清楚地描述本发明的某些特征。

图1是示出根据本发明的实施例的半导体封装件的剖面图。

参照图1,根据本发明实施例的半导体封装件包括:具有沟槽H的本体100、设置在沟槽H中的下器件A以及设置在本体100的沟槽H中的下器件A上的上器件B。

本体100具有上表面a和下表面b。沟槽H限定在本体100的上表面a上,而球焊盘101形成在本体100的下表面b上。

例如,本体100可包括印刷电路板、半导体芯片、晶片、硅插入物、包括无源器件的插入物、包括有源器件的插入物、包括无源器件的印刷电路板以及包括有源器件的印刷电路板中的任一个。

第一连接部102a和第二连接部102b穿透本体100而形成。第一连接部102a将上表面a和下表面b彼此电连接。第二连接部102b可将沟槽H的底部和本体100的下表面b电连接。第一连接部102a和第二连接部102b例如可以是贯穿通路。第一连接部102a和第二连接部102b可以具有不同的尺寸,其中第一连接部102a可以长于第二连接部102b。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司,未经海力士半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210033632.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top