[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法及显示器有效

专利信息
申请号: 201210032784.7 申请日: 2012-02-14
公开(公告)号: CN103247532A 公开(公告)日: 2013-08-14
发明(设计)人: 李冠锋 申请(专利权)人: 群康科技(深圳)有限公司;奇美电子股份有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L29/78;H01L27/32;G02F1/1368
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 任默闻
地址: 518109 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 薄膜晶体管 及其 制作方法 显示器
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种薄膜晶体管,且特别是有关于一种底栅极薄膜晶体管。

背景技术

随着显示科技的日益进步,人们借着显示器的辅助可使生活更加便利,为求显示器轻、薄的特性,促使平面显示器(flat panel display,FPD)成为目前的主流。在诸多平面显示器中,液晶显示器(liquid crystal display,LCD)具有高空间利用效率、低消耗功率、无辐射以及低电磁干扰等优越特性,因此,液晶显示器深受消费者欢迎。

液晶显示器主要是由主动阵列基板、彩色滤光基板与位于两基板之间的液晶层所构成。主动阵列基板具有主动区以及周边电路区。主动阵列位于主动区内,而具有多个底栅极薄膜晶体管的驱动电路则位于周边电路区内。

在现有技术中,底栅极薄膜晶体管的工艺会遭遇到一些问题,例如在形成源极与漏极时,容易损伤位于其下的主动层,以致于背通道受损。

发明内容

本发明一实施例提供一种薄膜晶体管的制作方法包括:提供一基板;在基板上形成一栅极;在基板上形成一栅绝缘层覆盖栅极;在栅绝缘层上形成一主动层,其中主动层位于栅极上方;在主动层上形成一导电层,导电层包括一源极、一漏极以及一位于源极与漏极之间的分隔部;在导电层上形成一第一光阻层,第一光阻层覆盖源极与漏极,并暴露出分隔部;使分隔部氧化而形成一绝缘金属氧化物层,以电性隔离源极与漏极;以及移除第一光阻层。

本发明另一实施例提供一种薄膜晶体管包括:一基板;一栅极,配置于基板上;一栅绝缘层,配置于基板上并覆盖栅极;一主动层,配置于栅绝缘层上并位于栅极上方;一源极与一漏极,配置于主动层上且位于栅极的相对两侧,其中源极与漏极以一沟槽分隔;以及一绝缘金属氧化物层,配置于主动层上,并填入沟槽中,且源极与漏极包括绝缘金属氧化物层所对应的金属。

本发明一实施例提供一种显示器,包括:一薄膜晶体管基板,设有多个前述实施例的薄膜晶体管;一基板,与薄膜晶体管基板相对设置;以及一显示介质,形成于薄膜晶体管基板与基板之间。

本发明通过在刻蚀(连接源极与漏极的)分隔部时保留分隔部,然后再氧化分隔部的方式电性隔离源极与漏极,以避免刻蚀工艺损害分隔部下的主动层。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本申请的一部分,并不构成对本发明的限定。在附图中:

图1A至图1H绘示本发明一实施例的薄膜晶体管的工艺剖面图。

图2绘示本发明另一实施例的薄膜晶体管的工艺剖面图。

图3A至图3F绘示本发明一实施例的薄膜晶体管的工艺剖面图。

图4绘示本发明另一实施例的薄膜晶体管的工艺剖面图。

图5绘示本发明一实施例的显示器的剖面图。

附图标号:

100~薄膜晶体管;

110~基板;

120~栅极;

130~栅绝缘层;

140~主动层;

150~导电材料层;

150a~导电层;

152~源极;

154~漏极;

156~分隔部;

156a~薄分隔部;

160、160a~氧化硅层;

170~含氧光阻材料层;

170a~含氧光阻盖层;

170b~含氧光阻层;

172~沟槽;

180~绝缘金属氧化物层;

190~绝缘保护层;

192~开口;

310~光阻层;

500~显示器;

510~薄膜晶体管基板;

520~基板;

530~显示介质;

A1~不透光区;

A2~半透光区;

A3~全透光区;

C~导电层;

M~半调式掩膜;

T1、T2、T3~厚度。

具体实施方式

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