[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法及显示器有效
申请号: | 201210032784.7 | 申请日: | 2012-02-14 |
公开(公告)号: | CN103247532A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 李冠锋 | 申请(专利权)人: | 群康科技(深圳)有限公司;奇美电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L29/78;H01L27/32;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 及其 制作方法 显示器 | ||
技术领域
本发明涉及一种薄膜晶体管,且特别是有关于一种底栅极薄膜晶体管。
背景技术
随着显示科技的日益进步,人们借着显示器的辅助可使生活更加便利,为求显示器轻、薄的特性,促使平面显示器(flat panel display,FPD)成为目前的主流。在诸多平面显示器中,液晶显示器(liquid crystal display,LCD)具有高空间利用效率、低消耗功率、无辐射以及低电磁干扰等优越特性,因此,液晶显示器深受消费者欢迎。
液晶显示器主要是由主动阵列基板、彩色滤光基板与位于两基板之间的液晶层所构成。主动阵列基板具有主动区以及周边电路区。主动阵列位于主动区内,而具有多个底栅极薄膜晶体管的驱动电路则位于周边电路区内。
在现有技术中,底栅极薄膜晶体管的工艺会遭遇到一些问题,例如在形成源极与漏极时,容易损伤位于其下的主动层,以致于背通道受损。
发明内容
本发明一实施例提供一种薄膜晶体管的制作方法包括:提供一基板;在基板上形成一栅极;在基板上形成一栅绝缘层覆盖栅极;在栅绝缘层上形成一主动层,其中主动层位于栅极上方;在主动层上形成一导电层,导电层包括一源极、一漏极以及一位于源极与漏极之间的分隔部;在导电层上形成一第一光阻层,第一光阻层覆盖源极与漏极,并暴露出分隔部;使分隔部氧化而形成一绝缘金属氧化物层,以电性隔离源极与漏极;以及移除第一光阻层。
本发明另一实施例提供一种薄膜晶体管包括:一基板;一栅极,配置于基板上;一栅绝缘层,配置于基板上并覆盖栅极;一主动层,配置于栅绝缘层上并位于栅极上方;一源极与一漏极,配置于主动层上且位于栅极的相对两侧,其中源极与漏极以一沟槽分隔;以及一绝缘金属氧化物层,配置于主动层上,并填入沟槽中,且源极与漏极包括绝缘金属氧化物层所对应的金属。
本发明一实施例提供一种显示器,包括:一薄膜晶体管基板,设有多个前述实施例的薄膜晶体管;一基板,与薄膜晶体管基板相对设置;以及一显示介质,形成于薄膜晶体管基板与基板之间。
本发明通过在刻蚀(连接源极与漏极的)分隔部时保留分隔部,然后再氧化分隔部的方式电性隔离源极与漏极,以避免刻蚀工艺损害分隔部下的主动层。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本申请的一部分,并不构成对本发明的限定。在附图中:
图1A至图1H绘示本发明一实施例的薄膜晶体管的工艺剖面图。
图2绘示本发明另一实施例的薄膜晶体管的工艺剖面图。
图3A至图3F绘示本发明一实施例的薄膜晶体管的工艺剖面图。
图4绘示本发明另一实施例的薄膜晶体管的工艺剖面图。
图5绘示本发明一实施例的显示器的剖面图。
附图标号:
100~薄膜晶体管;
110~基板;
120~栅极;
130~栅绝缘层;
140~主动层;
150~导电材料层;
150a~导电层;
152~源极;
154~漏极;
156~分隔部;
156a~薄分隔部;
160、160a~氧化硅层;
170~含氧光阻材料层;
170a~含氧光阻盖层;
170b~含氧光阻层;
172~沟槽;
180~绝缘金属氧化物层;
190~绝缘保护层;
192~开口;
310~光阻层;
500~显示器;
510~薄膜晶体管基板;
520~基板;
530~显示介质;
A1~不透光区;
A2~半透光区;
A3~全透光区;
C~导电层;
M~半调式掩膜;
T1、T2、T3~厚度。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造