[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法及显示器

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

在所述基板上形成一栅极；

在所述基板上形成一栅绝缘层覆盖所述栅极；

在所述栅绝缘层上形成一主动层，其中所述主动层位于所述栅极上方；

在所述主动层上形成一导电层，所述导电层包括一源极、一漏极以及一位于所述源极与所述漏极之间的分隔部；

在所述导电层上形成一第一光阻层，所述第一光阻层覆盖所述源极与所述漏极，并暴露出所述分隔部；

使所述分隔部氧化而形成一绝缘金属氧化物层，以电性隔离所述源极与所述漏极；以及

移除所述第一光阻层。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，使所述分隔部氧化的步骤包括：

以所述第一光阻层为掩膜对所述分隔部进行一氧电浆刻蚀工艺，以将所述分隔部薄化成一薄分隔部；以及

使所述薄分隔部氧化。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，使所述薄分隔部氧化的步骤包括将所述薄分隔部置于大气环境中、将所述薄分隔部置于一含氧的环境中并加热所述薄分隔部、或是将所述薄分隔部置于一含水气的环境中。

4.如权利要求2所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述薄分隔部156a的厚度为200埃至500埃。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，更包括：

移除所述绝缘金属氧化物层。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一光阻层的材质包括一感光性的有机无机混成材料。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述感光性的有机无机混成材料中的无机材料包括硅氧烷。

8.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，形成所述导电层以及所述第一光阻层的步骤包括：

在所述栅绝缘层上形成一覆盖所述主动层的导电材料层；

在所述导电材料层上形成一含氧光阻材料层；

利用一半调式掩膜对所述含氧光阻材料层进行一光刻工艺，以图案化所述含氧光阻材料层而形成一含氧光阻盖层，所述含氧光阻盖层位于所述栅极上方且具有未贯穿所述含氧光阻盖层的一沟槽；

以所述含氧光阻盖层为刻蚀掩膜图案化所述导电材料层，以形成所述导电层；以及

移除所述沟槽底部的所述含氧光阻盖层，以形成所述第一光阻层，其中所述沟槽暴露出所述分隔部。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，移除所述沟槽底部的所述含氧光阻盖层的步骤包括：

对所述含氧光阻盖层进行一电浆灰化工艺。

10.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在形成所述第一光阻层之前，所述制作方法更包括：

在所述导电层上形成一氧化硅层，并且在形成所述第一光阻层之后，所述第一光阻层暴露出部分所述氧化硅层。

11.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，形成所述导电层的步骤包括：

在所述栅绝缘层上形成一覆盖所述主动层的导电材料层；

在所述导电材料层上形成一第二光阻层，所述第二光阻层位于所述主动层上并暴露出部分位于所述主动层外围的所述导电材料层；

以所述第二光阻层为刻蚀掩膜移除所述第二光阻层暴露出的所述导电材料层，以形成所述导电层；以及

移除所述第二光阻层。

12.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一光阻层为一含氧光阻层。

13.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

一基板；

一栅极，配置于所述基板上；

一栅绝缘层，配置于所述基板上并覆盖所述栅极；

一主动层，配置于所述栅绝缘层上并位于所述栅极上方；

一源极与一漏极，配置于所述主动层上且位于所述栅极的相对两侧，其中所述源极与所述漏极以一沟槽分隔；以及

一绝缘金属氧化物层，配置于所述主动层上，并填入所述沟槽中，且所述源极与所述漏极包括所述绝缘金属氧化物层所对应的金属。