[发明专利]沟槽型MOS晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201210030426.2 | 申请日： | 2012-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN102569406A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 苟鸿雁 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 mos 晶体管 及其 制造 方法 | ||
1.一种沟槽型MOS晶体管，其特征在于包括：
半导体衬底；
在所述半导体衬底上的漏区，所述漏区包括第一传导型掺杂剂；
在所述漏区上的漂移区，所述漂移区包括所述第一传导型掺杂剂；
在所述漂移区上的沟道体，所述沟道体包括第二传导型掺杂剂；
在所述沟道体上的源区，所述源区包括所述第一传导型掺杂剂；
漂移区的沟槽；
在所述沟槽内壁上的栅绝缘膜；
在所述栅绝缘膜上的多晶硅栅极；
其中，在所述漂移区中形成有掩埋氧化区。
2.根据权利要求1所述的沟槽型MOS晶体管，其特征在于，所述掩埋氧化区的位置处于所述沟道区下方。
3.根据权利要求1或2所述的沟槽型MOS晶体管，其特征在于，所述掩埋氧化区位于两个沟槽型MOS晶体管的多晶硅栅极之间。
4.一种沟槽型MOS晶体管的制造方法，其特征在于包括：
在硅片中形成衬底及漂移区；
在形成漂移区之后在硅片上涂覆光刻胶；
使光刻胶形成图案；
利用形成图案的光刻胶作为掩埋进行离子注入，以在漂移区中形成掩埋氧化区。
5.根据权利要求4所述的沟槽型MOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述掩埋氧化区的位置处于所述沟道区下方。
6.根据权利要求4或5所述的沟槽型MOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述掩埋氧化区位于两个沟槽型MOS晶体管的多晶硅栅极之间。
7.根据权利要求4或5所述的沟槽型MOS晶体管的制造方法，其特征在于，在利用形成图案的光刻胶作为掩埋进行氧离子注入之后执行退火。
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