[发明专利]一种浅沟槽隔离结构及其制作方法

权利要求书

1.一种浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，包括：

a)提供半导体衬底；

b)在所述半导体衬底中形成具有第一宽度的第一子浅沟槽隔离结构；

c)执行所述半导体衬底的第一外延生长工艺，以在所述半导体衬底上形成覆盖所述第一子浅沟槽隔离结构的第一外延层；

d)在所述第一外延层中形成具有第二宽度的第二子浅沟槽隔离结构，所述第二子浅沟槽隔离结构位于所述第一子浅沟槽隔离结构的正上方，且与所述第一子浅沟槽隔离结构接触，其中，所述第二宽度大于所述第一宽度；

e)执行所述半导体衬底的第二外延生长工艺，以在所述第一外延层上形成覆盖所述第二子浅沟槽隔离结构的第二外延层；以及

f)在所述第二外延层中形成具有第三宽度的第三子浅沟槽隔离结构，所述第三子浅沟槽隔离结构位于所述第二子浅沟槽隔离结构的正上方，且与所述第二子浅沟槽隔离结构接触，所述第一到第三子浅沟槽隔离结构共同形成浅沟槽隔离结构，其中，所述第三宽度小于所述第二宽度。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述b)步骤中形成具有所述第一宽度的所述第一子浅沟槽隔离结构的方法包括：

在所述半导体衬底上依次形成第一氧化物层和第一氮化物层；

在所述半导体衬底、所述第一氧化物层和所述第一氮化物层中形成具有第一宽度的第一沟槽；

在所述第一沟槽内填充浅沟槽隔离材料，以形成所述第一子浅沟槽隔离结构；以及

去除所述第一氧化物层和所述第一氮化物层。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述d)步骤中形成具有所述第二宽度的所述第二子浅沟槽隔离结构的方法包括：

在所述第一外延层上依次形成第二氧化物层和第二氮化物层；

在所述第一外延层、所述第二氧化物层和所述第二氮化物层中形成具有所述第二宽度的第二沟槽，所述第二沟槽位于所述第一子浅沟槽隔离结构的正上方且暴露所述第一子浅沟槽隔离结构；

在所述第二沟槽内填充浅沟槽隔离材料，以形成所述第二子浅沟槽隔离结构；以及

去除所述第二氧化物层和所述第二氮化物层。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述f)步骤中形成具有所述第三宽度的所述第三子浅沟槽隔离结构的方法包括：

在所述第二外延层上依次形成第三氧化物层和第三氮化物层；

在所述第二外延层、所述第三氧化物层和所述第三氮化物层中形成具有第三宽度的第三沟槽，所述第三沟槽位于所述第二子浅沟槽隔离结构的正上方且暴露所述第二子浅沟槽隔离结构；

在所述第三沟槽内填充浅沟槽隔离材料，以形成所述第三子浅沟槽隔离结构，所述第一到第三子浅沟槽隔离结构共同形成浅沟槽隔离结构；以及

去除所述第三氧化物层和所述第三氮化物层。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二宽度大于等于所述第三宽度的2倍。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构用于MOSFET晶体管中。

7.一种浅沟槽隔离结构，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构包括第一子浅沟槽隔离结构、位于所述第一子浅沟槽隔离结构正上方的第二子浅沟槽隔离结构和位于所述第二子浅沟槽隔离结构正上方的第三子浅沟槽隔离结构，所述第一子浅沟槽隔离结构具有第一宽度，所述第二子浅沟槽隔离结构具有第二宽度，所述第三子浅沟槽隔离结构具有第三宽度，其中，所述第二宽度大于所述第一宽度，且大于所述第三宽度。

8.根据权利要求7所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于，所述第二宽度大于等于所述第三宽度的2倍。

9.根据权利要求7所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构用于MOSFET晶体管中。