[发明专利]ITO-卤化铟双层导电膜及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及导电薄膜领域，尤其涉及一种ITO-卤化铟双层导电膜及其制备方法。

背景技术

透明导电薄膜电极，是有机电致发光器件(OLED)的基础构件，其性能的优劣直接影响着整个器件的发光效率。其中，氧化铟锡(ITO)是最常用的透明导电薄膜材料，具有较高的可见光透光率和低的电阻率。但要提高器件的发光效率，要求透明导电薄膜阳极具有较高的表面功函数。而ITO的功函数一般只有4.5eV，经过UV光辐射或臭氧等处理之后也只能达到4.7～5.1eV，与一般的有机发光层的HOMO能级(典型的为5.7～6.3eV)还有比较大的能级差距，造成载流子注入势垒的增加，妨碍着发光效率的提高。

通过后处理的方法可以提高导电薄膜的表面功函数，但由于多了一些步骤工艺，造成成本较高，且效率较低的结果。而通过在薄膜中掺杂某些元素来提高功函数的方法，又有一定的制约性：因为掺杂大量会影响薄膜的导电性能，掺杂少量又达不到功函数提高的目的。

发明内容

本发明所要解决的问题之一在于提供一种既可以提高导电薄膜表面功函数又可以降低成本的ITO-卤化铟双层导电膜。

一种ITO-卤化铟双层导电膜，包括ITO层和卤化铟层；其中，ITO层中包括In₂O₃和SnO₂，且In₂O₃质量百分含量为80～97％，SnO₂的质量百分含量为3～20％；卤化铟层的材质为卤化铟，其化学式为InA₃，A为卤素，选自F、Cl或Br。

所述ITO-卤化铟双层导电膜，优选，ITO层中，In₂O₃质量百分含量为88％，SnO₂的质量百分含量为12％；

所述ITO-卤化铟双层导电膜，所述ITO层的厚度为50～300nm，卤化铟层的厚度为0.5～3nm；优选，所述ITO层的厚度为150nm，卤化铟层的厚度为1nm。

本发明所要解决的问题之二在于提供上述ITO-卤化铟双层导电膜的制备方法，该制备方法的步骤如下：

S1、称取In₂O₃和SnO₂粉体，经过均匀混合后，在900～1300℃下烧结处理，制得ITO陶瓷靶材；其中，ITO陶瓷靶材中，In₂O₃质量百分含量为80～97％，SnO₂的质量百分含量为3～20％；以及

将卤化铟粉体置于600～950℃下烧结处理，制得卤化铟陶瓷靶材；其中，卤化铟的化学式为InA₃，A为卤素，；

S2，将步骤S1中得的ITO陶瓷靶材、卤化铟陶瓷靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体中，并将真空腔体的真空度设置在1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa之间；

S3，调整磁控溅射镀膜工艺参数为：基靶间距为45～95mm，磁控溅射工作压强0.2～4Pa，氩气工作气体的流量为10～35sccm，衬底温度为250℃～750℃，溅射功率为30～150W；

S4、溅射镀膜处理：首先溅射ITO陶瓷靶材，并在衬底表面沉积ITO层；接着溅射卤化铟陶瓷靶材，在ITO层表面沉积InA₃层；溅射镀膜处理完成后，制得ITO-卤化铟双层导电膜；该双层导电膜包括ITO层和卤化铟层中，在ITO层中，In₂O₃质量百分含量为80～97％，SnO₂的质量百分含量为3～20％；卤化铟层的材质为卤化铟，其化学式为InA₃，A为卤素，选自F、Cl或Br。

所述的ITO-卤化铟双层导电膜的制备方法，优选：

所述步骤S1中，ITO陶瓷靶材中，In₂O₃质量百分含量为88％，SnO₂的质量百分含量为12％；所述ITO陶瓷靶材制备的烧结温度为1250℃，所述卤化铟陶瓷靶材制备的烧结温度为750℃；

所述步骤S2中，真空腔体的真空度设置在5.0×10^-4Pa；