[发明专利]ITO-卤化铟双层导电膜及其制备方法

权利要求书

1.一种ITO-卤化铟双层导电膜，其特征在于，该双层导电膜包括ITO层和卤化铟层；其中，ITO层中包括In₂O₃和SnO₂，且In₂O₃质量百分含量为80～97％，SnO₂的质量百分含量为3～20％；卤化铟层的材质为卤化铟，其化学式为InA3，A为卤素，选自F、Cl或Br。

2.根据权利要求1所述的ITO-卤化铟双层导电膜，其特征在于，ITO层中，In₂O₃质量百分含量为88％，SnO₂的质量百分含量为12％。

3.根据权利要求1或2所述的ITO-卤化铟双层导电膜，其特征在于，所述ITO层的厚度为50～300nm，卤化铟层的厚度为0.5～3nm。

4.根据权利要求3所述的ITO-卤化铟双层导电膜，其特征在于，所述ITO层的厚度为150nm，卤化铟层的厚度为1nm。

5.一种ITO-卤化铟双层导电膜的制备方法，其特征在于，该制备方法的步骤如下：

S1、称取In₂O₃和SnO₂粉体，经过均匀混合后，在900～1300℃下烧结处理，制得ITO陶瓷靶材；其中，ITO陶瓷靶材中，In₂O₃质量百分含量为80～97％，SnO₂的质量百分含量为3～20％；以及

将卤化铟粉体置于600～950℃下烧结处理，制得卤化铟陶瓷靶材；其中，卤化铟的化学式为InA3，A为卤素，选自F、Cl或Br；

S2，将步骤S1中得的ITO陶瓷靶材、卤化铟陶瓷靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体中，并将真空腔体的真空度设置在1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa之间；

S3，调整磁控溅射镀膜工艺参数为：基靶间距为45～95mm，磁控溅射工作压强0.2～4Pa，氩气工作气体的流量为10～35sccm，衬底温度为250℃～750℃，溅射功率为30～150W；

S4、溅射镀膜处理：首先溅射ITO陶瓷靶材，并在衬底表面沉积ITO层；接着溅射卤化铟陶瓷靶材，在ITO层表面沉积卤化铟层；溅射镀膜处理完成后，制得ITO-卤化铟双层导电膜；该双层导电膜包括ITO层和卤化铟层中，在ITO层中，In₂O₃质量百分含量为80～97％，SnO₂的质量百分含量为3～20％；卤化铟层的材质为卤化铟，其化学式为InA₃，A为卤素，选自F、Cl或Br。

6.根据权利要求5所述的ITO-卤化铟双层导电膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，ITO陶瓷靶材中，In₂O₃质量百分含量为88％，SnO₂的质量百分含量为12％；所述ITO陶瓷靶材制备的烧结温度为1250℃，所述卤化铟陶瓷靶材制备的烧结温度为750℃。

7.根据权利要求5所述的ITO-卤化铟双层导电膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，真空腔体的真空度设置在5.0×10^-4Pa。

8.根据权利要求5所述的ITO-卤化铟双层导电膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述基靶间距为60mm；所述磁控溅射工作压强为2.0Pa；所述氩气工作气体的流量为25sccm；所述衬底温度为500℃，所述溅射功率为100W。

9.根据权利要求5所述的ITO-卤化铟双层导电膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中，所述ITO层的厚度为50～300nm，卤化铟层的厚度为0.5～3nm。

10.根据权利要求9所述的ITO-卤化铟双层导电膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中，所述ITO层的厚度为150nm，卤化铟层的厚度为1nm。