[发明专利]一种双栅型薄膜晶体管液晶显示装置的像素结构有效
申请号: | 201210029341.2 | 申请日: | 2012-02-09 |
公开(公告)号: | CN103246117A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 敦栋梁;夏志强 | 申请(专利权)人: | 上海中航光电子有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 201108 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双栅型 薄膜晶体管 液晶 显示装置 像素 结构 | ||
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域,更具体的涉及一种双栅型薄膜晶体管液晶显示装置的像素结构及一种薄膜晶体管液晶显示装置。
背景技术
现有技术中,液晶显示装置阵列基板的一个主像素区的三个次像素区的排列从左到右分别为r(红),g(绿),b(蓝),其中,每个主像素区为正方形或者圆形,每个次像素区为长方形,且每个次像素区的短边与栅极线基本平行,每个次像素区的长边与数据线基本平行,通常这种次像素区的排列方式称为纵向排列。
在3D显示中,为了让人的左右眼看到不同的图像,置于阵列基板前的光栅格子需要纵向排列,其中光栅格子的大小与一个主像素区的大小相近;由于光栅格子所在的玻璃板与阵列基板组装时的对位误差,导致光栅格子可能会遮挡住某个颜色,比如遮挡了红色次像素区的部分面积,从而造成严重的颜色偏离和色差。为了解决这个问题,现有技术提供了横向排列的像素结构,即将各颜色次像素区横向排列,这样即使光栅格子所在的玻璃板与阵列基板组装时有对位误差,三个颜色的次像素区都会被挡住相同的面积,虽然每个次像素区的透光量有所下降,但是三个次像素区所形成的颜色不会有偏移。
目前的横像素排列方式包括以下几种:单栅驱动的竖屏横用的像素排列方式,双栅型驱动的像素横向排列方式和三栅极驱动的像素横向排列方式。但是单栅驱动的竖屏横用的像素排列方式需要加入缓存器将显示信号横竖转化,增加了系统成本;当分辨率比较高时,三栅极驱动横像素排列方式很难达到驱动要求。所以现有技术一般采用双栅驱动的像素横向排列方式,如图1所示,双栅驱动的像素横向排列方式中以相邻的两个主像素区作为最小基本结构,每个最小基本结构一般包括:
两条栅极线G1和G2,三条数据线D1、D2和D3,六个薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5和T6,六个像素电极g1、r1、b1、r2、b2和g2,以及两条公共电极线(图中未示出)。
图2为现有技术中双栅薄膜晶体管液晶显示装置的横像素结构更具体的示意图,栅极线1沿第一方向设置,数据线2沿第二方向设置,公共电极线3沿第二方向设置,透明的像素电极4对应着一个次像素区,其中,公共电极线3与栅极扫描线1在同一平面的投影之间一般会存在间隙5。
衡量液晶显示装置性能的一个重要标准是开口率,所述开口率是指除去每一个像素的配线部、晶体管部后的光线通过部分的面积和每一个像素整体的面积之间的比例,像素的开口率越高,光线通过的效率越高,屏幕显示越清晰明亮。
但是,现有的具有双栅型横向像素结构的液晶显示装置的开口率较低。
发明内容
本发明提供了一种双栅薄膜晶体管液晶显示装置的像素结构,以解决现有的具有双栅型横向像素结构的液晶显示装置的开口率较低问题,并且,本发明还提供了一种包括上述像素结构的液晶显示装置。
该双栅薄膜晶体管液晶显示装置的像素结构为横像素结构,包括:
栅极线,所述栅极线沿第一方向设置在第一金属层;
栅极绝缘层,所述栅极绝缘层覆盖在所述栅极线表面;
公共电极线,所述公共电极线对应于每个次像素区设置在第二金属层,所述第二金属层设置在所述栅极绝缘层表面上,且所述公共电极线与栅极线在同一平面的投影之间无间隙。
优选的,所述公共电极线与所述栅极线交叠的部分的公共电极线为镂空结构。
优选的,所述公共电极线与所述栅极线交叠的部分的公共电极线为整体结构。
优选的,所述横像素结构包括:
沿第一方向相邻的两个主像素区,其中,每个主像素区分别包括三个沿第二方向相邻的次像素区,所述第一方向和第二方向垂直;
六个薄膜晶体管,所述薄膜晶体管对应的设置于每个次像素区域内;
两条栅极线,所述栅极线沿第一方向设置在第一金属层;
三条数据线,所述数据线沿第二方向设置在第二金属层,且所述三条数据线和两条栅极线交叉围成六个次像素区;
并且,每条数据线分别与两个薄膜晶体管的源极电连接,其中,不同的数据线所电连接的薄膜晶体管不同,与同一条数据线电连接的两个薄膜晶体管的栅极分别与不同的栅极线电连接。
优选的,所述像素结构还包括:
钝化层,所述钝化层设置在所述第二金属层表面上;
像素电极,所述像素电极设置在所述钝化层表面上,所述像素电极位于所述次像素区内,且与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
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