[发明专利]一种双栅型薄膜晶体管液晶显示装置的像素结构

权利要求书

1.一种双栅型薄膜晶体管液晶显示装置的像素结构，其特征在于，所述像素结构为横像素结构，包括：

栅极线，所述栅极线沿第一方向设置在第一金属层；

栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖在所述栅极线表面；

公共电极线，所述公共电极线对应于每个次像素区设置在第二金属层，所述第二金属层设置在所述栅极绝缘层表面上，且所述公共电极线与栅极线在同一平面的投影之间无间隙。

2.根据权利要求1所述像素结构，其特征在于，所述公共电极线与所述栅极线交叠的部分的公共电极线为镂空结构。

3.根据权利要求1所述像素结构，其特征在于，所述公共电极线与所述栅极线交叠的部分的公共电极线为整体结构。

4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述横像素结构包括：

沿第一方向相邻的两个主像素区，其中，每个主像素区分别包括三个沿第二方向相邻的次像素区，所述第一方向和第二方向垂直；

六个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管对应的设置于每个次像素区域内；

两条栅极线，所述栅极线沿第一方向设置在第一金属层；

三条数据线，所述数据线沿第二方向设置在第二金属层，且所述三条数据线和两条栅极线交叉围成六个次像素区；

并且，每条数据线分别与两个薄膜晶体管的源极电连接，其中，不同的数据线所电连接的薄膜晶体管不同，与同一条数据线电连接的两个薄膜晶体管的栅极分别与不同的栅极线电连接。

5.根据权利要求4所述像素结构，其特征在于，所述像素结构还包括：

钝化层，所述钝化层设置在所述第二金属层表面上；

像素电极，所述像素电极设置在所述钝化层表面上，所述像素电极位于所述次像素区内，且与所述薄膜晶体管的漏极电连接。

6.根据权利要求5所述像素结构，其特征在于，所述公共电极线和像素电极部分交叠，且所述公共电极线、像素电极以及钝化层构成存储电容，其中所述公共电极线为所述存储电容的第一极板，所述像素电极为所述存储电容的第二极板，所述钝化层为所述存储电容两极板之间的介质。

7.根据权利要求6所述像素结构，其特征在于，所述像素电极的制作材料为氧化铟锡或氧化铟锌。

8.根据权利要求6所述像素结构，其特征在于，所述栅极绝缘层的制作材料为氮化硅。

9.一种薄膜晶体管液晶显示装置，其特征在于，所述薄膜晶体管液晶显示装置包括：

阵列基板，所述阵列基板上设置有上述像素结构；

彩膜基板，所述彩膜基板与所述阵列基板相对设置；

液晶层，所述液晶层设置在所述彩膜基板和阵列基板之间。