[发明专利]半导体器件及相关制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件结构，包括：

沟槽栅极结构；

与所述沟槽栅极结构相邻的半导体材料的体区，所述体区具有第一导电类型；

具有第二导电类型的半导体材料的漏区，所述漏区与位于所述体区之下的所述沟槽栅极结构相邻；

具有所述第二导电类型的形成于所述体区内的半导体材料的源区，其中所述体区的第一部分被布置于所述沟槽栅极结构与所述源区之间；以及

覆盖在所述体区的所述第一部分上的横向栅极结构。

2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，还包括具有所述第二导电类型的半导体材料的第一区，所述第一区与所述沟槽栅极结构相邻。

3.根据权利要求2所述的半导体器件结构，其中所述体区的所述第一部分被布置于所述第一区与所述源区之间。

4.根据权利要求2所述的半导体器件结构，其中所述体区的第二部分被布置于所述第一区与所述漏区之间。

5.根据权利要求2所述的半导体器件结构，还包括覆盖在所述第一区与所述沟槽栅极结构上的电介质材料，所述电介质材料被布置于所述沟槽栅极结构与所述横向栅极结构之间。

6.根据权利要求5所述的半导体器件结构，其中所述沟槽栅极结构与所述横向栅极结构电连接。

7.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中所述横向栅极结构的侧壁从所述沟槽栅极结构偏移。

8.根据权利要求7所述的半导体器件结构，还包括覆盖在所述沟槽栅极结构上且与所述横向栅极结构的所述侧壁相邻的电介质材料。

9.根据权利要求1所述的半导体器件结构，还包括覆盖在所述源区以及与所述源区相邻的所述体区的第二部分上的导电材料，其中所述第二部分和所述源区通过所述导电材料电连接。

10.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中位于所述源区之下的所述体区的第二部分被布置于所述源区与所述漏区之间。

11.一种用于制作半导体器件结构的方法，所述方法包括：

形成与具有第一导电类型的半导体材料的第一区相邻的第一栅极结构；

形成覆盖在所述第一区上的第二栅极结构；

在所述半导体材料的所述第一区内形成具有第二导电类型的半导体材料的第二区；以及

在所述第二区内形成具有所述第一导电类型的半导体材料的第三区，其中位于所述第二栅极结构之下的所述第二区的第一部分被布置于所述第一栅极结构与所述第三区之间。

12.根据权利要求11所述的方法，其中形成所述第二栅极结构包括：形成从所述第一栅极结构偏移的所述第二栅极结构。

13.根据权利要求12所述的方法，还包括在所述第二区内形成具有所述第一导电类型的半导体材料的第四区，所述第二区的所述第一部分被布置于所述第四区与所述第三区之间。

14.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述第四区包括：形成与所述第一栅极结构相邻的所述第四区，其中所述第二区的第二部分被布置于所述第四区与所述第一区之间。

15.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述第四区包括：使用所述第二栅极结构作为注入掩模来将具有所述第一导电类型的离子注入所述第二区。

16.根据权利要求11所述的方法，其中：

形成所述第二栅极结构包括：

形成覆盖在所述第一区上的导电材料层；以及

去除所述导电材料层的第一部分以使所述第一区的第一部分暴露，所述第一部分与所述第一栅极结构相邻；以及

形成所述第二区包括：将具有所述第二导电类型的离子注入所述第一区的所述第一部分，以形成与所述第一栅极结构相邻的所述第二区的第二部分，所述第二区的所述第二部分被布置于所述第二区的所述第一部分与所述第一栅极结构之间。

17.根据权利要求16所述的方法，还包括：在所述第二区的所述第二部分内形成具有所述第一导电类型的半导体材料的第四区。

18.根据权利要求17所述的方法，其中形成所述第四区包括：使用所述导电材料作为注入掩模来将具有所述第一导电类型的离子注入所述第二区的所述第二部分。