[发明专利]有效提高外量子效率的深紫外发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.有效提高外量子效率的深紫外发光二极管，其特征在于设有衬底，在衬底上依次生长AlN缓冲层、n-AlGaN层、有源层、p-AlGaN层和p-GaN盖层，在p-GaN盖层上沉积铝膜层，在n-AlGaN层上设n型电极，在p-GaN盖层上设p型电极。

2.如权利要求1所述的有效提高外量子效率的深紫外发光二极管，其特征在于所述衬底采用c面蓝宝石衬底。

3.如权利要求1所述的有效提高外量子效率的深紫外发光二极管，其特征在于所述p-GaN盖层的厚度控制在20nm以内。

4.如权利要求1所述的有效提高外量子效率的深紫外发光二极管，其特征在于所述铝膜层的厚度控制在10nm以内。

5.如权利要求1所述的有效提高外量子效率的深紫外发光二极管的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1)在衬底上生长AlN缓冲层、n-AlGaN层、有源层、p-AlGaN层和p-GaN盖层；

2)采用ICP技术刻蚀出n型台面，并通过光刻、真空电子束蒸发沉积及快速热退火处理技术分别形成p型、n型的欧姆接触；

3)在p-GaN盖层上沉积铝膜层；

4)在n-AlGaN层上设n型电极，在p-GaN盖层上设p型电极。