[发明专利]均匀浅沟槽隔离区域及其形成方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

对第一材料的第一表面和第二材料的第二表面实施等离子体处理，其中，所述第一材料不同于所述第二材料；

以及在所述第一材料的经处理的第一表面上以及所述第二材料的经处理的第二表面上形成第三材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一材料包括氮化硅，而所述第二材料包括晶体硅。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第三材料包括介电材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体处理是各向同性的，以及其中，所述第二材料的第二表面包括第一表面部分和第二表面部分，所述第二表面部分垂直于所述第一表面部分，其中，所述等离子体处理的工艺气体的离子吸附至所述第一表面部分和所述第二表面部分，并且离子向所述第一表面部分的第一移动和离子向所述第二表面部分的第二移动都不是主要的。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在半导体衬底的上方形成掩模层，其中，所述掩模层包括所述第一材料，并且所述半导体衬底包括所述第二材料；

蚀刻所述掩模层和所述半导体衬底以形成沟槽，其中，对所述掩模层和所述半导体衬底的露出表面实施所述等离子体处理，以及其中，所述露出表面位于所述沟槽中；

实施形成所述第三材料的步骤，其中，所述第三材料包括介电材料；

以及实施化学机械抛光(CMP)以去除所述掩模层上方所述第三材料的多余部分。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，使用工艺气体来实施所述等离子体处理，所述工艺气体选自基本上由CH₄、N₂、N₂O、NH₃、NF₃、O₂、H₂、BF₃、B₂H₆、PH₃、AsH₃和它们的组合所组成的组。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，使用工艺气体来实施所述等离子体处理，以及其中，在所述等离子体处理期间，所述工艺气体的元素被注入所述第一材料和所述第二材料中。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，使用工艺气体来实施所述等离子体处理，以及其中，在所述等离子体处理期间，将所述工艺气体的元素沉积在所述第一材料的第一表面和所述第二材料的第二表面上。

9.一种方法，包括：

在半导体衬底的上方形成掩模层；

图案化所述掩模层和所述半导体衬底，以形成延伸到所述掩模层和所述半导体衬底中的沟槽；

以及对所述掩模层和所述半导体衬底实施等离子体处理以形成层，其中，通过从工艺气体中生成等离子体来实施所述等离子体处理，其中，所述工艺气体的离子包括：吸附至所述沟槽的底部的第一部分和吸附至所述沟槽的侧壁的第二部分以形成所述层，以及其中，所述层包括：

第一部分，处于所述沟槽的底部并包括离子；

和第二部分，位于所述沟槽的侧壁上并包括离子，其中，所述层的所述第一部分和所述第二部分具有基本相同的厚度。

10.一种方法，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底的上方形成掩模层；

图案化所述掩模层和所述半导体衬底，以形成两个沟槽，其中，所述半导体衬底的部分和所述掩模层的部分位于所述两个沟槽之间；

对所述掩模层的所述部分的第一表面和所述半导体衬底的所述部分的第二表面实施等离子体处理，其中，所述第一表面和所述第二表面为面对所述两个沟槽中的一个的侧壁表面；

以及在所述等离子体处理之后，在所述两个沟槽中沉积介电材料。