[发明专利]去耦电容器及具有该去耦电容器的集成电路有效
| 申请号： | 201210027573.4 | 申请日： | 2012-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN103247697A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 张现聚;苏志强;丁冲 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 苏培华 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电容器 具有 集成电路 | ||
1.一种去耦电容器，其特征在于，包括：
去耦电容，所述去耦电容为MOS晶体管；和
与所述MOS晶体管的栅极连接的电阻。
2.如权利要求1所述的去耦电容器，其特征在于，所述电阻为MOS晶体管，且作为去耦电容的MOS晶体管和作为电阻的MOS晶体管其中一个为NMOS晶体管，另一个为PMOS晶体管，所述NMOS晶体管的栅极连接所述PMOS晶体管的漏端，所述PMOS晶体管的栅极连接所述NMOS晶体管的漏端，所述PMOS晶体管的源极电压高于NMOS晶体管的源极电压。
3.如权利要求2所述的去耦电容器，其特征在于，所述NMOS晶体管的源极接地，所述PMOS晶体管的源极连接到电源。
4.如权利要求2所述的去耦电容器，其特征在于，所述去耦电容为NMOS晶体管，所述电阻为PMOS晶体管。
5.如权利要求2所述的去耦电容器，其特征在于，所述去耦电容为PMOS晶体管，所述电阻为NMOS晶体管。
6.如权利要求2至5任一项所述的去耦电容器，其特征在于，所述NMOS晶体管的数量至少为一，当其数量大于1时，NMOS晶体管相互并联；所述PMOS晶体管的数量至少为一，当其数量大于1时，PMOS晶体管相互并联。
7.如权利要求6所述的去耦电容器，其特征在于，所述作为去耦电容的MOS晶体管的数量与作为电阻的MOS晶体管的数量相同。
8.如权利要求6所述的去耦电容器，其特征在于，所述作为去耦电容的MOS晶体管的数量与作为电阻的MOS晶体管的数量不同。
9.如权利要求2所述的去耦电容器，其特征在于，所述为去耦电容的MOS晶体管与作为电阻的MOS晶体管同为高压管或同为低压管。
10.如权利要求2至5任一项所述的去耦电容器，其特征在于，所述每一个MOS晶体管的源极和各自的衬底端通过金属线连接。
11.一种集成电路，其特征在于，包括：
去耦电容器，所述去耦电容器包括NMOS晶体管和PMOS晶体管，所述PMOS晶体管的漏端连接到NMOS晶体管的栅极，NMOS晶体管的漏端连接到PMOS晶体管的栅极，所述PMOS晶体管的源极电压高于NMOS晶体管的源极电压。
12.如权利要求11所述的集成电路，其特征在于，所述NMOS晶体管的源极接地，所述PMOS晶体管的源极连接到电源。
13.如权利要求11或12所述的集成电路，其特征在于，所述每一个MOS晶体管的源极和各自的衬底端通过金属线连接。
14.如权利要求11所述的集成电路，其特征在于，所述NMOS晶体管的数量至少为一，当其数量大于1时，NMOS晶体管相互并联；所述PMOS晶体管的数量至少为一，当其数量大于1时，PMOS晶体管相互并联。
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