[发明专利]DRAM结构及其制造方法与IC结构及其制造方法

权利要求书

1.一种具有埋入式字元线的DRAM结构，其特征在于，包括：

一半导体基板；

多条记忆胞用字元线，埋入于该基板中，并以第一闸介电层与该基板相隔；以及

多条隔离字元线，埋入于该基板中，并以第二闸介电层与该基板相隔，

其中，该些记忆胞用字元线的顶面与该些隔离字元线的顶面低于该基板的顶面，且该些隔离字元线的底面低于该些记忆胞用字元线的底面。

2.根据权利要求1所述的具有埋入式字元线的DRAM结构，其中该些隔离字元线的顶面与该些记忆胞用字元线的顶面实质上共平面。

3.根据权利要求1所述的具有埋入式字元线的DRAM结构，其中该些隔离字元线的顶面低于该些记忆胞用字元线的顶面，但高于该些记忆胞用字元线的底面。

4.根据权利要求1所述的具有埋入式字元线的DRAM结构，其中该些隔离字元线的顶面与该些记忆胞用字元线的底面实质上共平面，或低于该些记忆胞用字元线的底面。

5.根据权利要求1所述的具有埋入式字元线的DRAM结构，其中该些记忆胞用字元线划分为多对记忆胞用字元线，其中每一对以一条隔离字元线与相邻的另一对记忆胞用字元线相隔。

6.根据权利要求1所述的具有埋入式字元线的DRAM结构，其中该些记忆胞用字元线与该些隔离字元线的材质包括金属性材料。

7.根据权利要求1所述的具有埋入式字元线的DRAM结构，其中该金属性材料包括氮化钛、氮化钽、钨或多晶硅。

8.根据权利要求1所述的具有埋入式字元线的DRAM结构，其中该第一闸介电层与该第二闸介电层的材质包括二氧化硅或氮化硅。

9.根据权利要求1所述的具有埋入式字元线的DRAM结构，其中该些记忆胞用字元线的顶面比该基板的顶面低约700～且该些记忆胞用字元线的厚度约为700～

10.根据权利要求9所述的具有埋入式字元线的DRAM结构，其中该些隔离字元线的底面比该些记忆胞用字元线的底面低以下。

11.一种具有埋入式字元线的DRAM结构的制造方法，其特征在于，包括：

在一半导体基板中形成多个第一沟渠与较该些第一沟渠深的多个第二沟渠；

在每一个第一沟渠与每一个第二沟渠中形成一闸介电层；以及

在该些第一沟渠中形成多条记忆胞用字元线，且在该些第二沟渠中形成多条隔离字元线，

其中，该些隔离字元线的顶面与该些记忆胞用字元线的顶面低于该基板的顶面。

12.根据权利要求11所述的具有埋入式字元线的DRAM结构的制造方法，其中形成该些第一沟渠与该些第二沟渠的步骤包括：

在该基板上形成第一罩幕层，其中具有该些第一沟渠的图案与该些第二沟渠的图案；

形成第二罩幕层，其覆盖该些第一沟渠的图案；

以该第一罩幕层与该第二罩幕层为罩幕蚀刻该基板，以形成该些第二沟渠；

移除该第二罩幕层；以及

以该第一罩幕层为罩幕蚀刻该基板，以形成该些第一沟渠，并加深该些第二沟渠。

13.根据权利要求11所述的具有埋入式字元线的DRAM结构的制造方法，其中形成该些第一沟渠与该些第二沟渠的步骤包括：

在该基板上形成多个罩幕图案；

在每一个罩幕图案的侧壁上形成第一间隙壁；

在每一个第一间隙壁的侧壁上形成第二间隙壁；

以该些罩幕图案、该些第一间隙壁与该些第二间隙壁为罩幕蚀刻该基板，以形成该些第二沟渠；

移除该些罩幕图案的顶部、该些第一间隙壁的顶部与该些第二间隙壁的顶部；

移除剩余的该些第一间隙壁；以及

以剩余的该些罩幕图案与剩余的该些第二间隙壁为罩幕蚀刻该基板，以形成该些第一沟渠，并加深该些第二沟渠。

14.根据权利要求13所述的具有埋入式字元线的DRAM结构的制造方法，其中移除该些罩幕图案的顶部、该些第一间隙壁的顶部与该些第二间隙壁的顶部的步骤包括化学机械研磨制程。

15.根据权利要求14所述的具有埋入式字元线的DRAM结构的制造方法，还包括在该些第二沟渠形成之后，但在该些罩幕图案的顶部、该些第一间隙壁的顶部及该些第二间隙壁的顶部移除之前，于该基板上形成填充该些第二沟渠的一填充材料。