[发明专利]基于CMOS工艺实现的高速多选一复用器有效
| 申请号： | 201210025526.6 | 申请日： | 2012-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN102545883A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 秦大威 | 申请（专利权）人： | 烽火通信科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/094 | 分类号： | H03K19/094 |
| 代理公司： | 北京捷诚信通专利事务所(普通合伙) 11221 | 代理人： | 魏殿绅;庞炳良 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 cmos 工艺 实现 高速 多选一复用器 | ||
1.基于CMOS工艺实现的高速多选一复用器，其特征在于，包括多个CML复用器单元和均衡器；
每个所述CML复用单元均具有一个逻辑选通开关，某一个所述逻辑选通开关收到使能信号，则具有该逻辑选通开关的CML复用单元对接收到的一路差分输入信号放大为差分放大输出信号输出；
所述均衡器包括若干个级联的均衡单元和一个CML缓冲单元，所述均衡单元包括两个均衡NMOS差分输入对晶体管，所述两个NMOS差分输入对晶体管的栅极分别连接所述前级差分放大输出信号、漏极分别输出均衡差分信号且分别通过一个第二电阻接电源、源极分别经一个第一恒流源接地，且所述两个均衡NMOS差分输入对晶体管的源极之间还分别连接第一电容和第一电阻，所述第一电容与所述第一电阻并联；所述CML缓冲单元将所述均衡差分信号整形后输出。
2.如权利要求1所述的基于CMOS工艺实现的高速多选一复用器，其特征在于，所述CML复用单元包括两个复用NMOS差分输入对晶体管，所述两个复用NMOS差分输入对晶体管的栅极分别连接所述差分输入信号， 漏极分别输出所述差分放大输入信号至正、负极数据输出线，源极互连且经一个第三恒流源接地，所述正、负极数据输出线分别经第三电阻接电源，所述逻辑选通开关设置在所述第三恒流源与地之间。
3.如权利要求1所述的基于CMOS工艺实现的高速多选一复用器，其特征在于，所述均衡单元的数量为两个。
4.如权利要求1所述的基于CMOS工艺实现的高速多选一复用器，其特征在于，所述CML缓冲单元包括两个缓冲NMOS差分输入对晶体管，所述两个缓冲NMOS差分输入对晶体管的栅极分别连接所述均衡差分信号、漏极分别输出差分输出信号且分别经第四电阻接电源、源极分别经一个第二恒流源接地。
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