[发明专利]用于有机发光显示器的像素结构的制造方法有效
申请号: | 201210025322.2 | 申请日: | 2012-02-06 |
公开(公告)号: | CN103247571A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 蔡旻翰;黄浩榕;朱健慈 | 申请(专利权)人: | 群康科技(深圳)有限公司;奇美电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L51/56 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 骆希聪 |
地址: | 518100 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 有机 发光 显示器 像素 结构 制造 方法 | ||
技术领域
本发明是有关于一种平面显示装置,特别是有关于一种有机发光显示(OLED)像素结构的制造方法。
背景技术
由于厚度薄、重量轻、及低耗电的特色,平面显示装置解决了阴极射线管(cathode ray tube,CRT)显示技术而广泛使用于电子装置中,例如手提电脑、个人数字助理(PDA)、电子书(electronic books)、投影机、及手机等。一般而言,平面显示装置包括:有源式阵列液晶显示(active matrix liquid crystal display,AMLCD)装置或有源式阵列有机发光显示(active matrix organic light-emitting display,AMOLED)装置。不同于有源式阵列液晶显示装置,有源式阵列有机发光显示装置为一种使用有机材料的自发光型元件,其不需要背光(backlight)模块,因此可简化制程并进一步缩减平面显示装置的厚度。典型地,有源式阵列有机发光显示装置的像素结构包括:一薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)阵列基板及设置于其上的多个有机发光二极管。每一有机发光二极管包括:一上电极(阴极或阳极)、一下电极(阳极或阴极)以及设置于二电极之间的有机发光(light-emitting)层。
在有源式阵列有机发光显示装置中,通常在显示区(或称为有源区)外侧设置电极接触窗(electrode contact via),使有机发光二极管的上电极与阵列基板上的电子元件形成一回路。由于电流电阻压降(IR drop)效应,导致显示区中心像素区与周围像素区的亮度产生差异(即,亮度均匀性(brightness uniformity)不佳)。由于上发光型有机发光显示装置中通常使用金属(例如钙、镁、锂、银及其合金)或者搭配使用阻值高于一般金属的透明导电氧化物(例如,铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物、锌氧化物)作为有机发光二极管的上电极,因此电流电阻压降效应更为明显。再者,对于大尺寸的有机发光显示器应用来说,亮度均匀性不佳的问题将更为严重。
因此,有必要寻求一种有机发光显示(OLED)像素结构的制造方法,其能够改善或解决上述问题。
发明内容
本发明一实施例提供一种用于有机发光显示器的像素结构的制造方法,包括:提供一基板,其具有平行排列的多个串列子像素区;在基板上形成一辅助电极层,其对应于上述串列子像素区的至少一子像素区;在基板上形成一绝缘层并覆盖辅助电极层,其中绝缘层内具有至少一开口,以局部露出辅助电极层;在上述串列子像素区的每一子像素区的基板上形成一下电极层;在每一下电极层上形成一有机发光层并填入绝缘层的开口;在有机发光层上形成一上电极层;以及借由一激光制程,在绝缘层的开口正上方的上电极层及有机发光层内形成至少一开口,使上电极层经由上电极层及有机发光层的开口与辅助电极层熔接。
本发明另一实施例提供一种用于有机发光显示器的像素结构的制造方法,包括:提供一基板,其具有平行排列的多个串列子像素区;在基板上形成一辅助电极层,其对应于上述串列子像素区的至少一子像素区;在基板上形成一绝缘层并覆盖辅助电极层,其中绝缘层内具有至少一开口,以局部露出辅助电极层;在上述串列子像素区的每一子像素区的基板上形成一下电极层;在每一下电极层上形成一有机发光层并填入绝缘层的开口;借由一激光制程,在绝缘层的开口正上方的有机发光层内形成至少一开口,以露出绝缘层的开口底部的辅助电极层;以及在有机发光层上形成一上电极层并填入有机发光层的开口,使上电极层与辅助电极层电性连接。
附图说明
为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂,以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明,其中:
图1A至1D绘示出根据本发明一实施例的用于有机发光显示器的像素结构的制造方法剖面示意图;
图1E绘示出根据本发明另一实施例的用于有机发光显示器的像素结构剖面示意图;
图2A至2C绘示出根据本发明另一实施例的用于有机发光显示器的像素结构的制造方法剖面示意图;
图2D绘示出根据本发明又另一实施例的用于有机发光显示器的像素结构剖面示意图;
图3绘示出根据本发明一实施例的电极接触窗的排列示意图;
图4绘示出根据本发明另一实施例的电极接触窗的排列示意图;以及
图5绘示出根据本发明又另一实施例的电极接触窗的排列示意图。
主要元件符号说明:
实施例
10、10’、20、20’~像素结构;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造