[发明专利]用于有机发光显示器的像素结构的制造方法有效
申请号: | 201210025322.2 | 申请日: | 2012-02-06 |
公开(公告)号: | CN103247571A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 蔡旻翰;黄浩榕;朱健慈 | 申请(专利权)人: | 群康科技(深圳)有限公司;奇美电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L51/56 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 骆希聪 |
地址: | 518100 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 有机 发光 显示器 像素 结构 制造 方法 | ||
1.一种用于有机发光显示器的像素结构的制造方法,包括:
提供一基板(100),其具有平行排列的多个串列子像素区;
在该基板上形成一辅助电极层,其对应于所述串列子像素区的至少一子像素区;
在该基板上形成一第一绝缘层并覆盖该辅助电极层,其中该第一绝缘层内具有至少一第一开口,以局部露出该辅助电极层;
在所述串列子像素区的每一子像素区的该基板上形成一下电极层;
在每一下电极层上形成一有机发光层并填入该第一开口;
在该有机发光层上形成一上电极层;以及
借由一激光制程,在该第一开口正上方的该上电极层及该有机发光层内形成至少一第三开口,且使该上电极层经由该第三开口与该辅助电极层熔接。
2.如权利要求1所述的用于有机发光显示器的像素结构的制造方法,还包括在每一下电极与该有机发光层之间形成一第二绝缘层,其中该第二绝缘层具有对应于每一下电极的一第二开口,使该有机发光层经由该第二开口与每一下电极接触。
3.如权利要求1所述的用于有机发光显示器的像素结构的制造方法,其特征在于,该第一开口为一孔洞或一条型沟槽。
4.如权利要求1所述的用于有机发光显示器的像素结构的制造方法,其特征在于,该第三开口为一孔洞或一条型沟槽。
5.如权利要求1所述的用于有机发光显示器的像素结构的制造方法,其特征在于,借由该激光制程在该有机发光层内形成多个第三开口,且所述第三开口排列于所述串列子像素区中的至少一串列子像素区。
6.如权利要求5所述的用于有机发光显示器的像素结构的制造方法,其特征在于,所述第三开口对应排列于该至少一串列子像素区的每一子像素区。
7.如权利要求5所述的用于有机发光显示器的像素结构的制造方法,其特征在于,所述第三开口中相邻的第三开口被不具有该第三开口的至少一子像素区所隔开。
8.如权利要求5所述的用于有机发光显示器的像素结构的制造方法,其特征在于,所述第三开口排列于所述串列子像素区中的至少二串列子像素区,且该至少二串列子像素区被不具有该第三开口的至少一串列子像素区所隔开。
9.如权利要求5所述的用于有机发光显示器的像素结构的制造方法,其特征在于,该串列子像素区的每一子像素区是用以显示相同的颜色。
10.如权利要求5所述的用于有机发光显示器的像素结构的制造方法,其特征在于,该串列子像素区包括用以显示不同颜色的子像素区。
11.如权利要求1所述的用于有机发光显示器的像素结构的制造方法,其特征在于,该辅助电极层与该下电极由同一导电层所定义而成。
12.一种用于有机发光显示器的像素结构的制造方法,包括:
提供一基板,其具有平行排列的多个串列子像素区;
在该基板上形成一辅助电极层,其对应于所述串列子像素区的至少一子像素区;
在该基板上形成一第一绝缘层并覆盖该辅助电极层,其中该第一绝缘层内具有至少一第一开口,以局部露出该辅助电极层;
在所述串列子像素区的每一子像素区的该基板上形成一下电极层;
在每一下电极层上形成一有机发光层并填入该第一开口;
借由一激光制程,在该第一开口正上方的该有机发光层内形成至少一第三开口,以露出该辅助电极层;以及
在该有机发光层上形成一上电极层并填入该第三开口,使该上电极层与该辅助电极层电性连接。
13.如权利要求12所述的用于有机发光显示器的像素结构的制造方法,还包括在每一下电极与该有机发光层之间形成一第二绝缘层,其中该第二绝缘层具有对应于每一下电极的一第二开口,使该有机发光层经由该第二开口与每一下电极接触。
14.如权利要求12所述的用于有机发光显示器的像素结构的制造方法,其特征在于,该第一开口为一孔洞或一条型沟槽。
15.如权利要求12所述的用于有机发光显示器的像素结构的制造方法,其特征在于,该第三开口为一孔洞或一条型沟槽。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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