[发明专利]半导体装置的布线构造以及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置的布线构造以及其制造方法。

背景技术

以往，如图1（平面图）以及图2（图1的Ⅱ-Ⅱ线剖面图）所示那样的半导体装置的布线构造已广为人知。该布线构造包括：在硅基板1上形成的绝缘层2、被该绝缘层2覆盖的第一金属层3、配置在绝缘层2上的作为焊盘电极的第二金属层4以及与第二金属层4连接的布线5。

可是，在构成第二金属层4的金属的溅射时，当处于热膨胀状态的金属的温度下降时，附着于绝缘层2的金属的收缩力会导致在金属内部产生向内的应力。之后，对金属的不需要的部分进行蚀刻，例如，当形成如图1那样的第二金属层4时，在其内部存在的应力成为如图1中以箭头表示的力（例如图2的F1a）那样，在与第二金属层4紧贴的绝缘层2的内部，产生耐受第二金属层4的应力的力，其结果是，有时能在绝缘层2（特别是第二金属层4角部附近）形成裂纹（图2的附图标记6）。在形成了裂纹6的情况下，使在蚀刻后的冲洗中使用的药液进入绝缘层2内，药液到达至第一金属层3，有时会产生对第一金属层3产生腐蚀等的缺陷。

此外，为了缓和对作为焊盘电极的第二金属层4键合（bonding）导体布线时产生的应力（与图1的箭头相反方向的力）而对焊盘电极的布线设置贯通孔的对策例如在日本特开昭63－141330号公报（专利文献1）中公开。

可是，即使采用专利文献1的对策，在键合导体布线时产生的应力的缓和也是不充分的，在与第二金属层4紧贴的绝缘层2的内部，产生耐受第二金属层4的应力的力，在绝缘层2（特别是第二金属层4的角部附近）容易产生裂纹，有时会产生起因于该裂纹的缺陷。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开昭63－141330号公报（例如图1（a）、（b））。

如上述那样，在现有的半导体装置的布线构造中，存在如下问题：在成为焊盘电极的金属层所紧贴的绝缘层，在溅射后或键合时等，容易产生裂纹，容易产生起因于该裂纹的缺陷。

发明内容

因此，本发明是为了解决上述现有技术的问题而做出的，其目的在于提供一种在第二金属层所紧贴的绝缘层难以产生裂纹的半导体装置的布线构造以及其制造方法。

本发明的半导体装置的布线构造，其特征在于，具备：绝缘层，在基底构件上形成；第一金属层，被所述绝缘层覆盖；以及第二金属层，具有彼此空开间隔地在所述绝缘层上排列而且以比所述第一金属层厚的方式形成的多个电极部分，所述绝缘层具有将所述第一金属层和所述多个电极部分之间相连的多个导通孔，所述布线构造还具备：多个贯通布线，配置在所述多个导通孔内，使所述多个电极部分与所述第一金属层电连接。

本发明的半导体装置的布线构造的制造方法，其特征在于，具有如下工序：在基底构件上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成第一金属层；形成覆盖所述第一金属层的第二绝缘层；在所述第二绝缘层形成多个导通孔；在所述多个导通孔内形成与所述第一金属层电连接的多个贯通布线；以及形成构成第二金属层的多个电极部分，使其彼此空开间隔地在所述第二绝缘层上排列，并与所述多个贯通布线的任一个电连接，且比所述第一金属层厚。

根据本发明的一个方式的半导体装置的布线构造以及其制造方法，能够使得在第二金属层所紧贴的绝缘层难以产生裂纹，能使布线构造的质量提高。

附图说明

图1是概略性地表示现有的半导体装置的布线构造的平面图。

图2是概略性地表示以Ⅱ-Ⅱ线切割图1的布线构造的面的剖面图。

图3是概略性地表示第一实施方式的半导体装置的布线构造的平面图。

图4是概略性地表示以Ⅳ-Ⅳ线切割图3的布线构造的面的剖面图。

图5是概略性地表示以Ⅴ-Ⅴ线切割图3的布线构造的面的剖面图。

图6是概略性地表示以Ⅵ-Ⅵ线切割图3的布线构造的面的剖面图。

图7（a）～（d）是第一实施方式的半导体装置的布线构造的制造方法的工序说明图。

图8是第一实施方式的半导体装置的布线构造的效果的说明图。

图9是比较例的半导体装置的布线构造的说明图。

图10是概略性地表示第二实施方式的半导体装置的布线构造的平面图。

图11是概略性地表示以Ⅺ-Ⅺ线切割图10的布线构造的面的剖面图。

图12是概略性地表示以Ⅻ-Ⅻ线切割图10的布线构造的面的剖面图。

图13是概略性地表示以ⅩⅢ-ⅩⅢ线切割图10的布线构造的面的剖面图。

具体实施方式

《1》第一实施方式