[发明专利]半导体装置的布线构造以及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的布线构造，其特征在于，具备：

绝缘层，在基底构件上形成；

第一金属层，被所述绝缘层覆盖；以及

第二金属层，具有彼此空开间隔地在所述绝缘层上排列而且以比所述第一金属层厚的方式形成的多个电极部分，

所述绝缘层具有将所述第一金属层和所述多个电极部分之间相连的多个导通孔，

所述布线构造还具备：多个贯通布线，配置在所述多个导通孔内，将所述多个电极部分与所述第一金属层电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的布线构造，其特征在于，

所述多个电极部分排列成多行多列。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的布线构造，其特征在于，

所述多个电极部分的每一个的平面形状是四角形，

所述多个导通孔分别配置在所述多个电极部分的角部附近。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置的布线构造，其特征在于，

所述第一金属层由单一的布线构造体构成，

所述布线构造体夹着所述绝缘层与所述多个电极部分相向配置。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置的布线构造，其特征在于，

所述第一金属层由多个布线构造体构成，

所述多个布线构造体夹着所述绝缘层与所述多个电极部分相向配置。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的布线构造，其特征在于，

在所述多个电极部分排列成M行N列的情况下，所述多个布线构造体排列成（M-1）行以下的行数和（N-1）列以下的列数，其中，M以及N分别是2以上的整数。

7.根据权利要求1或2所述的半导体装置的布线构造，其特征在于，

所述第一金属层、所述贯通布线以及所述第二金属层由相同的导电性材料构成。

8.根据权利要求1或2所述的半导体装置的布线构造，其特征在于，

所述基底构件是半导体基板。

9.根据权利要求1或2所述的半导体装置的布线构造，其特征在于，

所述基底构件是在半导体基板上形成的其他层。

10.根据权利要求1或2所述的半导体装置的布线构造，其特征在于，

所述第二金属层是键合布线的焊盘电极。

11.一种半导体装置的布线构造的制造方法，其特征在于，具有如下工序：

在基底构件上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成第一金属层；

形成覆盖所述第一金属层的第二绝缘层；

在所述第二绝缘层中形成多个导通孔；

在所述多个导通孔内形成与所述第一金属层电连接的多个贯通布线；以及

形成构成第二金属层的多个电极部分，使其彼此空开间隔地在所述第二绝缘层上排列，并与所述多个贯通布线的任一个电连接，且比所述第一金属层厚。

12.根据权利要求11所述的半导体装置的构造方法，其特征在于，

所述多个电极部分排列成多行多列。

13.根据权利要求11或12所述的半导体装置的布线构造的制造方法，其特征在于，

所述多个电极部分的每一个的平面形状是四角形，

所述多个导通孔分别配置在所述多个电极部分的角部附近。

14.根据权利要求11或12所述的半导体装置的布线构造的制造方法，其特征在于，

所述第一金属层由单一的布线构造体构成，

所述布线构造体夹着所述绝缘层与所述多个电极部分相向配置。

15.根据权利要求11或12所述的半导体装置的布线构造的制造方法，其特征在于，

所述第一金属层由多个布线构造体构成，

所述多个布线构造体夹着所述绝缘层与所述多个电极部分相向配置。

16.根据权利要求15所述的半导体装置的布线构造的制造方法，其特征在于，

在所述多个电极部分排列成M行N列的情况下，所述多个布线构造体排列成（M-1）行以下的行数和（N-1）列以下的列数，其中，M以及N分别是2以上的整数。

17.根据权利要求11或12所述的半导体装置的布线构造的制造方法，其特征在于，

所述第一金属层、所述贯通布线以及所述第二金属层由相同的导电性材料构成。